[发明专利]一种纳米晶石墨纳米孔检测芯片及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202010910348.X 申请日: 2020-09-02
公开(公告)号: CN112014430A 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 王赟姣;王德强;王亮;刘畅;程敏;周大明;何石轩;谢婉谊;方绍熙;殷博华;石彪;田荣;袁家虎 申请(专利权)人: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00;B82Y15/00;B82Y40/00;C12Q1/6869
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 赵荣之
地址: 400714 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 晶石 检测 芯片 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种纳米晶石墨纳米孔检测芯片,其特征在于,所述检测芯片中含有具有纳米孔的纳米晶石墨薄膜。

2.根据权利要求1所述的检测芯片,其特征在于,所述纳米孔的直径为0.5~20nm。

3.根据权利要求1所述的检测芯片,其特征在于,所述纳米晶石墨薄膜的厚度为0.35~35nm。

4.根据权利要求1~3任一项所述的检测芯片,其特征在于,所述检测芯片还含有具有开孔的支撑基片,所述纳米晶石墨薄膜位于所述支撑基片上方,所述纳米孔位于所述开孔上方。

5.根据权利要求4所述的检测芯片,其特征在于,所述开孔的直径为30~1000nm。

6.根据权利要求4所述的检测芯片,其特征在于,所述支撑基片的材料包括氧化硅、氮化硅、石英、玻璃或聚甲基丙烯酸甲酯中的任意一种。

7.权利要求1~6任一项所述的检测芯片的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:

(1)将支撑基片依次放入去离子水中浸泡至少10min、乙醇中浸泡至少10min和食人鱼洗液中浸泡10~30min后取出;

(2)对所述支撑基片进行加工得到具有开孔的支撑基片;

(3)在所述具有开孔的支撑基片上生长具有纳米孔的纳米晶石墨薄膜或将纳米晶石墨薄膜转移到所述具有开孔的支撑基片上进行加工形成纳米孔。

8.根据权利要求7所述的检测芯片的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述加工的方法为:聚焦离子束钻孔或透射电子显微镜钻孔。

9.根据权利要求7所述的检测芯片的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述生长通过化学气相沉积法或高温碳化法进行;

所述化学气相沉积法为:以甲烷为气源、以20℃/min的升温速率升温至850~1500℃进行气相沉积;

所述高温碳化法为:以光刻胶为碳源、以10℃/min的升温速率升温至1000℃进行碳化;

步骤(3)所述加工的具体方法为:通过介电击穿、聚焦离子束或透射电子显微镜在所述纳米晶石墨薄膜上钻孔形成纳米孔。

10.权利要求1~6任一项所述的检测芯片在检测生物大分子方面的应用。

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