[发明专利]半导体制作工艺的良率预测方法、系统与模型训练装置在审
申请号: | 202010927456.8 | 申请日: | 2020-09-07 |
公开(公告)号: | CN114154386A | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 洪世芳 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F30/27 | 分类号: | G06F30/27;G06F30/398;G06F30/392;G06F30/394 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 制作 工艺 预测 方法 系统 模型 训练 装置 | ||
1.一种半导体制作工艺的良率预测方法,包括:
建构该半导体装置的电路图网表的电路路径与集成电路版图的对应关系;
获得该半导体装置于多个堆叠层的多个缺陷点;
依据该些缺陷点,训练该电路路径发生故障的识别模型;以及
依据该识别模型,识别半导体半成品于各该堆叠层导致该电路路径发生该故障的发生机率;以及
依据该发生机率,预测该半导体半成品的该良率。
2.如权利要求1所述的半导体制作工艺的良率预测方法,其中该故障为桥接故障或固定型故障。
3.如权利要求2所述的半导体制作工艺的良率预测方法,其中该桥接故障或该固定型故障发生于该些堆叠层的一层。
4.如权利要求2所述的半导体制作工艺的良率预测方法,其中该桥接故障或该固定型故障发生于该些堆叠层的邻近两层。
5.如权利要求1所述的半导体制作工艺的良率预测方法,其中在训练该识别模型的步骤中,依据该些缺陷点的位置、形状、面积,训练该电路路径发生该故障的该识别模型。
6.如权利要求1所述的半导体制作工艺的良率预测方法,其中识别该电路路径发生该故障的该发生机率的步骤执行于该半导体半成品的制作工艺完成之前。
7.如权利要求1所述的半导体制作工艺的良率预测方法,其中预测该半导体半成品的该良率的步骤执行于该半导体半成品的制作工艺完成之前。
8.一种半导体制作工艺的良率预测系统,其特征在于,包括:
模型训练装置,包括:
建构单元,用以建构半导体装置的电路图网表的电路路径与集成电路版图的对应关系;
数据提取单元,用以获得该半导体装置于多个堆叠层的多个缺陷点;及
机器学习单元,用以依据该些缺陷点,训练该电路路径发生故障的识别模型;以及
预测装置,包括:
识别单元,用以依据该识别模型,识别半导体半成品于各该堆叠层导致该电路路径发生该故障的发生机率;及
预测单元,用以依据该发生机率,预测该半导体半成品的良率。
9.如权利要求8所述的半导体制作工艺的良率预测系统,其中该故障为桥接故障或固定型故障。
10.如权利要求9所述的半导体制作工艺的良率预测系统,其中该桥接故障或该固定型故障发生于该些堆叠层的一层。
11.如权利要求9所述的半导体制作工艺的良率预测系统,其中该桥接故障或该固定型故障发生于该些堆叠层的邻近两层。
12.如权利要求8所述的半导体制作工艺的良率预测系统,其中该训练单元依据该些缺陷点的位置、形状、面积,训练该电路路径发生该故障的该识别模型。
13.如权利要求8所述的半导体制作工艺的良率预测系统,其中该识别单元于该半导体半成品的制作工艺完成之前识别该电路路径发生该故障的该发生机率。
14.如权利要求8所述的半导体制作工艺的良率预测系统,其中该预测单元于该半导体半成品的制作工艺完成的前预测该半导体半成品的该良率。
15.一种模型训练装置,其特征在于,包括:
建构单元,用以建构半导体装置的电路图网表的电路路径与集成电路版图的对应关系;
数据提取单元,用以获得该半导体装置于多个堆叠层的多个缺陷点;以及
机器学习单元,用以依据该些缺陷点,训练该电路路径发生故障的识别模型。
16.如权利要求15所述的模型训练装置,其中该故障为桥接故障或固定型故障。
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