[发明专利]双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管

权利要求书

1.一种双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管，其结构自上而下依次为：金属阴极、电子注入层、电子传输层、钙钛矿发光层、空穴传输层、空穴注入层、透明导电阳极、透明衬底；其特征在于所述钙钛矿发光层通过下述方法制备：

将各材料按摩尔比为PEAI:MAI:CsI:PbI₂:BaCl₂＝0.14～0.16:0.10～0.13:0.09～0.11:0.17～0.19:0.005～0.015共溶于DMSO溶剂当中，得到Pb²⁺摩尔浓度为0.17～0.19mmol/ml的前驱液；配置PEO溶液；将前驱液和PEO溶液分别在50℃～60℃、180rpm～200rpm转速条件下搅拌30min～60min，取与前驱液等体积的PEO溶液加入前驱液，继续在50℃～60℃和180rpm～200rpm转速条件下搅拌至少1小时，然后用有机滤头过滤；将过滤后的混合液旋涂在空穴传输层表面，旋涂条件为800rpm～1000rpm低速旋转5s～10s、5500rpm～6500rpm高速旋转60s～120s；在高速旋转25s～30s时滴加180μL～200μL氯苯反溶剂，最后在70℃～80℃条件下退火5min～7min。

2.根据权利要求1所述的双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管，其特征在于所述的前驱液中各材料摩尔比为PEAI:MAI:CsI:PbI₂:BaCl₂＝0.15:0.10～0.13:0.10:0.18:0.005～0.015；退火条件为80℃条件下退火5min。

3.根据权利要求1所述的双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管，其特征在于所述的前驱液中各材料摩尔比为PEAI:MAI:CsI:PbI₂:BaCl₂＝0.15:0.13:0.10:0.18:0.005～0.015，退火条件为80℃条件下退火5min。

4.根据权利要求1所述的双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管，其特征在于所述的前驱液中各材料摩尔比为PEAI:MAI:CsI:PbI₂:BaCl₂＝0.15:0.13:0.10:0.18:0.015，退火条件为80℃条件下退火5min。

5.根据权利要求1所述的双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管，其特征在于所述透明衬底为透明玻璃衬底或透明聚合物衬底。

6.根据权利要求1所述的双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管，其特征在于所述金属阴极为Ag、Al或Au中的一种或几种组成的合金，其厚度为80nm～200nm。

7.根据权利要求1所述的双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管，其特征在于所述电子注入层为LiF，其厚度为0.9nm～1.2nm；所述电子传输层为TPBi有机材料，其厚度为35nm～40nm。

8.根据权利要求1所述的双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管，其特征在于所述空穴传输层为PVK，其旋涂方式是以3500rpm～4500rpm高速旋转50s～60s后经120℃～140℃退火5min～7min制成薄膜。

9.根据权利要求1所述的双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管，其特征在于所述空穴注入层为PEDOT:PSS，由旋涂方式以3500rpm～4500rpm旋转30～40s再加以140℃～150℃退火10min～15min制成薄膜。

10.根据权利要求1所述的双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管，其特征在于所述透明导电阳极材料为掺氟氧化锡，沉积于透明衬底上。