[发明专利]一种沟槽MOSFET的制造方法有效
| 申请号： | 202010947607.6 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112038237B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;胡瞳腾 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯电元科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京惠科金知识产权代理有限公司 11981 | 代理人： | 任立晨 |
| 地址： | 518049 广东省深圳市福田区梅林*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mosfet 制造 方法 | ||
1.一种沟槽MOSFET的制造方法，其特征在于，包括以下步骤:
步骤S1:在N型衬底的表面形成N型外延层；
步骤S2:在N型外延层的表面注入硼原子，并在N型外延层上形成沟槽；
步骤S3:对沟槽采用高温氧化工艺，硼原子在高温氧化工艺中发生热扩散形成P型扩散区；
步骤S4:淀积多晶硅，去除沟槽之外的多晶硅；
步骤S5:在P型扩散区的表层之中形成N型扩散区；
所述衬底、N型外延层、P型扩散区及所述N型扩散区依次叠层设置，所述N型外延层的深度大于所述沟槽的深度；
所述步骤S5包括:步骤S51:采用光刻、离子工艺对预设区域注入磷原子和/或砷原子；
步骤S52:采用快速热处理工艺激活所述磷原子和/或砷原子，形成N型扩散区；
所述快速热处理的工艺温度为800-1000摄氏度，工艺时间为10-30秒；在所述快速热处理工艺中，所述硼原子再次热扩散，所述磷原子和/或砷原子再次向N型外延层热扩散；
所述步骤S3包括:
步骤S31:所述高温氧化的工艺在所述沟槽的表面生成栅氧化层；
步骤S32:所述硼原子在所述高温氧化工艺中发生热扩散以形成P型扩散区；
步骤S33:所述P型扩散区与N型外延层形成PN结；
所述PN结与所述N型外延层的上表面距离小于所述沟槽的深度；
在所述步骤S31之前，包括如下步骤：
S301：采用高温氧化工艺在所述沟槽的表面生成牺牲氧化层；所述高温氧化工艺的温度为1000-1050摄氏度，工艺时间为10-100分钟；
S302：采用湿法腐蚀的工艺去除所述牺牲氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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