[发明专利]一种超结型快恢复二极管器件

权利要求书

1.一种超结型快恢复二极管器件，其特征在于，自下而上包括阴极金属层(8)、N+阴极区(7)、N型缓冲层(6)、P型区(2)和阳极金属层(9)，所述N型缓冲层(6)和P型区(2)之间还设置有由交替掺杂的P型柱区(3)和N型柱区(4)组成的超结结构。

2.根据权利要求1所述的一种超结型快恢复二极管器件，其特征在于，所述N型缓冲层(6)的上部还设置有N型半导体漂移区(5)，所述N型半导体漂移区(5)和P型区(2)之间设置有由交替掺杂的P型柱区(3)和N型柱区(4)组成的超结结构。

3.根据权利要求2所述的一种超结型快恢复二极管器件，其特征在于，所述P型区(2)内设置有完全嵌入式的P+区(1)。

4.根据权利要求3所述的一种超结型快恢复二极管器件，其特征在于，所述P+区(1)的掺杂浓度为1×10¹⁶cm^-3～5×10¹⁹cm^-3。

5.根据权利要求3所述的一种超结型快恢复二极管器件，其特征在于，所述P+区(1)与阳极金属层(9)欧姆接触。

6.根据权利要求2-3任一所述的一种超结型快恢复二极管器件，其特征在于，所述N型半导体漂移区(5)的掺杂浓度为6×10¹¹cm^-3～6×10¹⁴cm^-3，厚度为30μm～50μm。

7.根据权利要求1-3任一所述的一种超结型快恢复二极管器件，其特征在于，所述N+阴极区(7)采用Si材料，其掺杂浓度为1×10¹⁹cm^-3～3×10¹⁹cm^-3；所述N型缓冲层(6)的掺杂浓度为1×10¹⁶cm^-3～6×10¹³cm^-3，厚度为20μm～60μm。

8.根据权利要求1-3任一所述的一种超结型快恢复二极管器件，其特征在于，所述P型区(2)的掺杂浓度为6×10¹³cm^-3～5×10¹⁵cm^-3。

9.根据权利要求1-3任一所述的一种超结型快恢复二极管器件，其特征在于，所述N+阴极层(7)与阴极金属层(8)欧姆接触，所述P型区(2)与阳极金属层(9)欧姆接触。

10.根据权利要求1-3任一所述的一种超结型快恢复二极管器件，其特征在于，所述P型柱区(3)和N型柱区(4)的掺杂浓度为6×10¹²cm^-3～6×10¹⁴cm^-3，厚度为40μm～70μm。