[发明专利]含氧化噻吩的稠环化合物及其应用

说明书

本发明涉及一种含氧化噻吩的稠环化合物及其应用。该含氧化噻吩的稠环化合物，具有式(I‑1)所示结构，表现出优异的空穴传输性质及稳定性，可作为有机电致发光元件中的空穴注入层材料，也可以作为掺杂剂掺杂在空穴注入层或空穴传输层中，这样既可用低电压驱动，也可提高电致发光效率，延长器件的寿命。

本申请要求于2019年9月26日提交中国专利局、申请号为2019109150079、发明名称为“一种含氧化噻吩的稠环化合物及其应用”的中国专利申请的优选权，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本发明涉及有机电致发光技术领域，特别是涉及一种含氧化噻吩的稠环化合物及其应用。

背景技术

由于有机发光二极管(OLED)具有种类多、制造成本低和光学与电学性能良好等优点，其在光电器件(例如平板显示器和照明)的应用方面具有很大的潜力。

有机发光二极管是由正极与负极以及在它们中间的有机物层三部分组成。为了提高有机发光二极管的效率与寿命，有机物层一般具有多层结构，每一层包含有不同的有机物质。具体可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等。这种有机发光二极管发光的基本原理为：当在两个电极之间施加电压时，正极向有机层注入空穴，负极向有机层注入电子，注入的空穴与电子相遇时会成激子，该激子跃迁回基态时发光。这种有机发光二极管具有自发光、高亮度、高效率、低驱动电压、广视角、高对比度、高响应性等优点。为了提高注入的空穴和电子的复合效率，需要进一步对有机发光二极管的结构和材料等方面进行改良。目前默克公司利用芳香族二胺衍生物(专利CN104718636A)或芳香族稠环二胺衍生物(专利CN107922312A)作为有机发光二极管的空穴传输材料，以此来提高注入空穴的效率，但这时需要提高使用电压才可以使有机发光二极管充分发光，这就导致了有机发光二极管寿命降低和消耗电量增大的问题。

近来，有研究人员采用在有机发光二极管的空穴传输层中掺杂电子受体的方式来解决此类问题，例如四氰基醌二甲烷(TCNQ)或2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯并醌二甲烷(F4TCNQ)(Chemical Science 2018,9(19),4468-4476；Appl.Phys.Lett.,2018,112(8)，083303/1-083303/2；Chemistry of Materials 2018,30(3),998-1010)，但是，这些化合物在用于掺杂有机层时存在诸多缺陷，例如：在有机发光二极管的制作工序中操作不稳定，在有机发光二极管驱动时稳定性不足，寿命下降，或在用真空蒸镀来制造有机发光二极管时，上述化合物会在装置内扩散，污染装置。

因此，需要进一步改进空穴传输层中掺杂的电子受体，即P-dopant型掺杂剂，特别是可以实现有机发光二极管低电压化和长寿命化的掺杂剂。

发明内容

基于此，本发明的目的在于提供一种含氧化噻吩的稠环化合物及其应用，提高器件的效率和寿命。

技术方案如下：

一种含氧化噻吩的稠环化合物，如通式(I-1)所示：

其中：

每次出现时，可相互独立地选自单键或双键；

n1每次出现时，独立选自1或者2；

n2每次出现时，独立选自0或1或2；

n3每次出现时，独立选自0或1或2；n2+n3之和小于等于2；

m1选自2或3或4；

n4选自1到6的任一整数；

M选自被取代或未被取代的具有6至60个环原子的芳香基团，或被取代或未被取代的具有6至60个环原子杂芳香基团，当环原子为C原子时，其原子轨道为sp2杂化轨道；