[发明专利]红光LED的制作方法

权利要求书

1.一种红光LED的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在GaAs衬底上依次生长腐蚀停止层、N型接触层、N型限制层、发光层、P型限制层、P型接触层；

在所述P型接触层上形成氧化硅薄膜，在转移基板上涂覆光刻胶，并利用压力将所述光刻胶键合在所述氧化硅薄膜上；

依次去除所述GaAs衬底和所述腐蚀停止层，露出所述N型接触层；

在所述N型接触层上形成第一键合金属层，并采用等离子束清洁所述第一键合金属层的表面，所述等离子束由Ar离子组成，所述等离子束的能量为20eV～50eV，所述等离子束的清洁时间为10min～30min；

在Si衬底上形成粘附金属层，所述粘附金属层包括依次层叠在所述Si衬底上的Ti层和Pt层；

在所述粘附金属层上形成第二键合金属层，并采用所述等离子束清洁所述第二键合金属层的表面，所述第一键合金属层的材料和所述第二键合金属层的材料均为Au；

将所述第二键合金属层和所述第一键合金属层相贴放入真空腔内，使所述第二键合金属层和所述第一键合金属层键合在一起，键合温度为25℃～30℃；

对所述光刻胶进行曝光和显影，将所述转移基板从所述氧化硅薄膜上脱离；

去除所述氧化硅薄膜，露出所述P型接触层；

采用PLD技术在所述P型接触层上形成AZO薄膜，所述AZO薄膜的折射率2.0～2.2，所述AZO薄膜的电流扩展长度为150微米～180微米，所述AZO薄膜包括用于 与P型电极相对的圆形区域和自所述圆形区域向远离所述圆形区域的方向延伸的条形区域；

在所述P型接触层上设置P型电极，在所述Si衬底上设置N型电极。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述真空腔内的真空度为10^-7Pa～10^-5Pa。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述N型接触层为N型GaAs层，所述制作方法还包括：

在所述N型接触层上形成第一键合金属层之前，在所述N型接触层内沿垂直于所述N型接触层的生长方向的方向开设凹槽；

在所述N型接触层上形成第一键合金属层之后，所述凹槽内填满所述第一键合金属层。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述N型接触层中N型掺杂剂的掺杂浓度在10¹⁹/cm³以上。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述N型接触层上形成第一键合金属层之前，在所述N型接触层上形成接触金属层。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在采用PLD技术在所述P型接触层上形成AZO薄膜之前，对所述P型接触层的表面进行粗化，形成多个圆锥状凸起。