[发明专利]红光LED的制作方法

说明书

本公开提供了一种红光LED的制作方法，属于半导体技术领域。包括：在GaAs衬底上依次生长腐蚀停止层、N型接触层、N型限制层、发光层、P型限制层、P型接触层；将转移基板键合在P型接触层上；依次去除GaAs衬底和腐蚀停止层；在N型接触层上形成第一键合金属层，并采用等离子束清洁第一键合金属层的表面；在Si衬底上形成第二键合金属层，并采用等离子束清洁第二键合金属层的表面，第二键合金属层的材料与第一键合金属层的材料相同；将第二键合金属层和第一键合金属层相贴放入真空腔内，使第二键合金属层和第一键合金属层键合在一起；脱离转移基板，露出P型接触层；设置P型电极和N型电极。本公开可提高发光效率。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种红光LED的制作方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种能发光的半导体器件。随着多年的技术研究开发，红光LED的外延和芯片技术都非常成熟。

红光LED的外延技术主要是在GaAs衬底上外延生长AlGaInP材料。由于AlGaInP与GaAs之间的晶格匹配度较好，因此外延生长过程中产生的位错较少，AlGaInP材料内部的量子效率超过95％。但是GaAs的能隙较小，会吸收AlGaInP材料发出的光线，导致红光LED的光提取效率较低。

为了提高光提取效率，红光LED的芯片技术在AlGaInP材料上镀薄膜，将薄膜与透明基板在高温高压下进行键合，并去除GaAs衬底。但是键合过程中高温高压的处理方式会影响到AlGaInP材料的光电性能，造成红光LED的发光效率较低。

发明内容

本公开实施例提供了一种红光LED的制作方法，可以改变键合过程中的温度和压力，避免影响到AlGaInP材料的光电性能，保证红光LED的发光效率。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种红光LED的制作方法，所述制作方法包括：

在GaAs衬底上依次生长腐蚀停止层、N型接触层、N型限制层、发光层、P型限制层、P型接触层；

在所述P型接触层上形成氧化硅薄膜，在转移基板上涂覆光刻胶，并利用压力将所述光刻胶键合在所述氧化硅薄膜上；

依次去除所述GaAs衬底和所述腐蚀停止层，露出所述N型接触层；

在所述N型接触层上形成第一键合金属层，并采用等离子束清洁所述第一键合金属层的表面；

在Si衬底上形成第二键合金属层，并采用所述等离子束清洁所述第二键合金属层的表面，所述第二键合金属层的材料与所述第一键合金属层的材料相同；

将所述第二键合金属层和所述第一键合金属层相贴放入真空腔内，使所述第二键合金属层和所述第一键合金属层键合在一起；

对所述光刻胶进行曝光和显影，将所述转移基板从所述氧化硅薄膜上脱离；

去除所述氧化硅薄膜，露出所述P型接触层；

在所述P型接触层上设置P型电极，在所述Si衬底上设置N型电极。

可选地，所述第一键合金属层的材料和所述第二键合金属层的材料为Au。

可选地，所述等离子束由Ar离子组成。

可选地，所述等离子束的能量为20eV～50eV，所述等离子束的清洁时间为10min～30min。

可选地，所述真空腔内的真空度为10^-7Pa～10^-5Pa。

可选地，所述N型接触层为N型GaAs层，所述制作方法还包括：

在所述N型接触层上形成第一键合金属层之前，在所述N型接触层内沿垂直于所述N型接触层的生长方向的方向开设凹槽；