[发明专利]复合材料及其制备方法和发光二极管在审
| 申请号： | 202011048617.2 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN114316942A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 聂志文;张旋宇 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;H01L51/50;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 张杨梅 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合材料 及其 制备 方法 发光二极管 | ||
1.一种复合材料，其特征在于，包括发光量子点、不发光量子点和连接配体，所述连接配体连接所述发光量子点和所述不发光量子点。
2.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述发光量子点为二维纳米量子点；
优选地，所述不发光量子点为零维量子点或二维纳米量子点。
3.如权利要求2所述的复合材料，其特征在于，所述发光量子点具有核壳结构，且所述发光量子点的壳层沿其平面方向生长；
优选地，所述不发光量子点连接在所述发光量子点的厚度方向上的两个平面。
4.如权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述不发光量子点为非核壳结构量子点；
所述不发光量子点的金属元素与所述发光量子点的壳层的金属元素同族，和/或所述不发光量子点的非金属元素与所述发光量子点的壳层的非金属元素同族；
优选地，所述发光量子点的壳层材料为II-VI族半导体材料，所述发光量子点的核材料为II-VI族半导体材料或III-V族半导体材料；
优选地，所述不发光量子点的材料为II-VI族半导体材料。
5.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述连接配体包括用于连接所述发光量子点的第一连接基团以及用于连接所述不发光量子点的第二连接基团，所述第一连接基团和所述第二连接基团各自独立地选自巯基、羧基、羟基、磺酸基、氨基和磷酸基团中的任一种；
优选地，所述连接配体为巯基烷酸。
6.如权利要求1至5任一项所述的复合材料，其特征在于，所述发光量子点和所述不发光量子点的质量比为1:(10-100)；和/或
所述发光量子点和所述连接配体的摩尔比为1:(1-100)。
7.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供发光量子点、不发光量子点、连接配体和酸；
将所述发光量子点、所述不发光量子点、所述酸和所述连接配体在溶剂中进行混合处理，获得所述复合材料。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，将所述发光量子点、所述不发光量子点、所述酸和所述连接配体在溶剂中进行混合处理的步骤包括：
将所述发光量子点、所述酸和所述连接配体加入溶剂中，在80℃-200℃下混合搅拌10分钟至12小时，获得第一溶液；
将所述不发光量子点加入所述第一溶液中，在80℃-200℃下混合搅拌10分钟至12小时。
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述发光量子点为二维纳米量子点；
优选地，所述不发光量子点为零维量子点或二维纳米量子点；
优选地，所述酸与所述发光量子点和所述不发光量子点的总和的摩尔比为(0.1-2):10；
优选地，所述发光量子点和所述不发光量子点的质量比为1:(10-100)；
优选地，所述酸选自盐酸、氢氟酸、硝酸和硫酸中的至少一种；
优选地，所述连接配体选自巯基烷酸，且所述发光量子点和所述连接配体的摩尔比为1:(1-100)；
优选地，所述溶剂选自氯仿、氯苯、甲苯、正己烷、环己烷、正辛烷和正丁烷中的至少一种。
10.一种发光二极管，包括发光层，所述发光层的材料包括：权利要求1至6任一项所述的复合材料或权利要求7至9任一项所述的制备方法制得的复合材料。
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