[发明专利]复合材料及其制备方法和发光二极管

说明书

本申请涉及显示技术领域，提供了一种复合材料及其制备方法和发光二极管。本申请提供的复合材料包括发光量子点、不发光量子点和连接配体，连接配体连接发光量子点和不发光量子点。如此，使得不发光量子点作为保护量子点并结合连接配体表面修饰发光量子点，实现了在不影响发光量子点的光学性能的基础上有效填补发光量子点的表面缺陷，提高了量子点材料的光学稳定性；同时，将不发光量子点通过连接配体连接发光量子点，有效增加各发光量子点之间的距离，避免发生团聚，并提高了能量利用效率，利于获得具有超高单色性且发光性能优异的复合材料。

技术领域

本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种复合材料及其制备方法，以及一种发光二极管。

背景技术

量子点(quantum dot)，是一类典型的纳米材料，其半径通常小于或接近于激子波尔半径，表现出显著的量子点限域效应，具有独特的光学性能，如：发光光谱随材料自身的尺寸和组份连续可调、半峰宽窄、荧光效率高、长寿命、优良的单分散性和光热稳定性强等。这些独特的性能使其广泛应用在显示、照明、生物标记和太阳能电池等领域。

与传统的球形或类球形的零维量子点相比，二维纳米量子点除了拥有一般量子点的基本特性外，还表现出区别于零维量子点的特性，例如，零维量子点的峰宽通常在20nm以上，不能满足超单色性要求峰宽15nm的标准，而二维纳米量子点的峰宽通常15nm，能显著改善器件的单色性，对实现具有高色纯度的量子点发光二极管(quantum dot lightemitting diode，QLED)具有重要意义。

现有技术合成的二维纳米核壳结构量子点在进行壳层生长的过程中壳层生长通常发生在整个核的表面(核的平面方向与平面方向的垂直方向)。由于二维纳米核壳结构量子点的限域效应只发生在厚度方向上，故常规壳层生长时容易造成波长红移。但壳层生长若仅仅只是发生在核的平面方向的垂直方向时，平面方向的表面常存在大量的表面缺陷，这影响了以二维纳米量子点为发光层材料的发光二级光的发光性能。

发明内容

本申请的目的在于提供一种复合材料及其制备方法，以及一种发光二极管，旨在解决现有量子点表面常存在大量的表面缺陷而影响发光二极管发光性能的问题。

为实现上述申请目的，本申请采用的技术方案如下：

第一方面，本申请提供一种复合材料，包括发光量子点、不发光量子点和连接配体，所述连接配体连接所述发光量子点和所述不发光量子点。

本申请提供的复合材料，不发光量子点通过连接配体表面修饰发光量子点，实现在不影响发光量子点的光学性能的基础上有效填补发光量子点的表面缺陷，发挥了不发光量子点作为保护量子点的作用保护发光量子点，避免例如水氧侵袭等外界环境因素影响发光量子点的光学性能，从而提高了量子点材料的光学稳定性；另一方面，将不发光量子点通过连接配体连接发光量子点，可有效增加各发光量子点之间的距离，避免发生团聚，并减少由于发光量子点间距过小导致的共振能量转移的发生，有效提高了能量利用效率，利于提高材料的发光效率，从而获得具有超高单色性且发光性能优异的复合材料。

第二方面，本申请提供一种复合材料的制备方法，包括以下步骤：

提供发光量子点、不发光量子点、连接配体和酸；

将所述发光量子点、所述不发光量子点、所述酸和所述连接配体在溶剂中进行混合处理，获得所述复合材料。

本申请提供的复合材料的制备方法，以发光量子点、不发光量子点和连接配体为原料，并加入有酸，将发光量子点、不发光量子点、酸和连接配体在溶剂中进行混合处理的步骤中，酸用于消除发光量子点和不发光量子点的表面缺陷态，以促进连接配体分别连接发光量子点和发光量子点，从而将发光量子点和不发光量子点有效连接起来，进而获得上述具有超高单色性且发光性能优异的复合材料。方法简单，操作简便，适于大规模量产。

优选地，将所述发光量子点、所述不发光量子点、所述酸和所述连接配体在溶剂中进行混合处理的步骤包括：