[发明专利]量子点发光器件、其制作方法及显示装置有效

专利信息
申请号: 202011055725.2 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN112186118B 公开(公告)日: 2023-06-16
发明(设计)人: 张爱迪;张宜驰 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
主分类号: H10K50/844 分类号: H10K50/844;H10K50/115;H10K71/00;H10K59/35;H10K59/122
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 姚楠
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 量子 发光 器件 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种量子点发光器件,其特征在于,包括:

基底;

像素界定层,位于所述基底上,所述像素界定层包括多个像素开口以及像素分隔体,所述像素分隔体围设形成所述多个像素开口的每个,且所述像素分隔体的表面具有羟基;

量子点层,位于所述像素开口内;

聚合物结构,将所述量子点层封闭在所述像素开口内,所述聚合物结构为至少由硅氧烷、巯基化硅氧烷和所述羟基聚合后形成的全封闭结构,其中所述硅氧烷与所述羟基以及所述巯基化硅氧烷均发生聚合反应,所述巯基化硅氧烷中巯基的硫原子与所述量子点层的配位原子结合。

2.如权利要求1所述的量子点发光器件,其特征在于,所述巯基化硅氧烷中巯基发生二硫化反应形成所述聚合物结构,所述聚合物结构为-O-(SiO2)m-R-S-S-R-(SiO2)m-O-;其中,R为烷基。

3.如权利要求1所述的量子点发光器件,其特征在于,所述巯基化硅氧烷中巯基与烯烃发生加成反应形成所述聚合物结构,所述聚合物结构为-O-(SiO2)m-R-S-CR1-CR2-S-R-(SiO2)m-O-;

其中,R为烷基,R1、R2分别选择聚苯、聚噻吩、聚芴,聚三苯基胺,聚咔唑,聚吡咯,聚卟啉等中的一种或多种,R1、R2相同或不同。

4.如权利要求2或3所述的量子点发光器件,其特征在于,m为1~25。

5.如权利要求1所述的量子点发光器件,其特征在于,所述量子点层包括红色量子点、蓝色量子点和绿色量子点,每一颜色的所述量子点表面均具有对应的所述聚合物结构。

6.如权利要求1所述的量子点发光器件,其特征在于,还包括:位于所述基底和所述量子点层之间的阴极,位于所述阴极和所述量子点层之间的电子传输层,位于所述聚合物结构背离所述基底一侧的空穴传输层,位于所述空穴传输层背离所述基底一侧的空穴注入层,以及所述空穴注入层背离所述基底一侧的阳极。

7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的量子点发光器件。

8.一种量子点发光器件的制作方法,其特征在于,包括:

在基底上形成像素界定层;其中,所述像素界定层包括多个像素开口以及像素分隔体,所述像素分隔体围设形成所述多个像素开口的每个,且所述像素分隔体的表面具有羟基;

在所述像素开口内依次形成量子点层和将所述量子点层封闭在所述像素开口内的聚合物结构;其中,所述聚合物结构为至少由硅氧烷、巯基化硅氧烷和所述羟基聚合后形成的全封闭结构,其中所述硅氧烷与所述羟基以及所述巯基化硅氧烷均发生聚合反应,所述巯基化硅氧烷中巯基的硫原子与所述量子点层的配位原子结合;

形成每一单色量子点和所述聚合物结构的制作方法包括:

在目标像素开口之外的区域形成牺牲层;

在形成有所述牺牲层的基底上旋涂单色量子点材料;

在所述目标像素开口内形成所述聚合物结构;

去除所述牺牲层,以在所述目标像素开口内形成所述单色量子点。

9.如权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述在目标像素开口之外的区域形成牺牲层,具体包括:

在所述基底上旋涂牺牲层材料膜层;

在所述牺牲层材料膜层背离所述基底一侧涂覆光刻胶层;

对所述光刻胶层进行曝光显影,以去除所述目标像素开口内的光刻胶材料;

去除所述目标像素开口内的牺牲层材料,以在所述目标像素开口之外的区域形成牺牲层。

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