[发明专利]量子点发光器件、其制作方法及显示装置

说明书

本发明公开了一种量子点发光器件、其制作方法及显示装置，包括：基底；像素界定层，像素界定层包括多个像素开口以及像素分隔体，像素分隔体的表面具有羟基；量子点层，位于像素开口内；聚合物结构，将量子点层封闭在像素开口内，聚合物结构为至少由硅氧烷、巯基化硅氧烷和羟基聚合后形成的全封闭结构，其中硅氧烷与羟基以及巯基化硅氧烷均发生聚合反应，巯基化硅氧烷中巯基的硫原子与量子点层的配位原子结合。本发明通过在量子点层上形成将量子点层封闭在像素开口内的聚合物结构，该聚合物结构为全封闭结构，可以保护量子点层在后续光刻胶显影工艺过程中避免受到溶剂破坏，保持量子点层膜层厚度不变，保护量子点层配体不丢失，提高器件性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光器件、其制作方法及显示装置。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum dot Light Emitting Diodes，QLED)具有发光强度高，单色性好，色彩饱和度高，稳定性好等优点，因此，QLED在显示领域有良好的应用前景。

发明内容

本发明实施例提供的一种量子点发光器件、其制作方法及显示装置，用以防止量子点层发生脱落或减薄问题，提高影响器件性能。

本发明实施例提供了一种量子点发光器件，包括：

基底；

像素界定层，位于所述基底上，所述像素界定层包括多个像素开口以及像素分隔体，所述像素分隔体围设形成所述多个像素开口的每个，且所述像素分隔体的表面具有羟基；

量子点层，位于所述像素开口内；

聚合物结构，将所述量子点层封闭在所述像素开口内，所述聚合物结构为至少由硅氧烷、巯基化硅氧烷和所述羟基聚合后形成的全封闭结构，其中所述硅氧烷与所述羟基以及所述巯基化硅氧烷均发生聚合反应，所述巯基化硅氧烷中巯基的硫原子与所述量子点层的配位原子结合。

可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，所述巯基化硅氧烷中巯基发生二硫化反应形成所述聚合物结构，所述聚合物结构为-O-(SiO2)m-R-S-S-R-(SiO2)m-O-；其中，R为烷基。

可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，所述巯基化硅氧烷中巯基与烯烃发生加成反应形成所述聚合物结构，所述聚合物结构为-O-(SiO2)m-R-S-CR1-CR2-S-R-(SiO2)m-O-；

其中，R为烷基，R1、R2分别选择聚苯、聚噻吩、聚芴，聚三苯基胺，聚咔唑，聚吡咯，聚卟啉等中的一种或多种，R1、R2相同或不同。

可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，m为1～25。

可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，所述量子点层包括红色量子点、蓝色量子点和绿色量子点，每一颜色的所述量子点表面均具有对应的所述聚合物结构。

可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，还包括：位于所述基底和所述量子点层之间的阴极，位于所述阴极和所述量子点层之间的电子传输层，位于所述聚合物结构背离所述基底一侧的空穴传输层，位于所述空穴传输层背离所述基底一侧的空穴注入层，以及所述空穴注入层背离所述基底一侧的阳极。

相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述量子点发光器件。

相应地，本发明实施例还提供了一种量子点发光器件的制作方法，包括：

在基底上形成像素界定层；其中，所述像素界定层包括多个像素开口以及像素分隔体，所述像素分隔体围设形成所述多个像素开口的每个，且所述像素分隔体的表面具有羟基；