[发明专利]半导体封装结构及其形成方法

说明书

本发明实施例提供了一种半导体封装结构，包括：内埋式基板；扇出结构，位于内埋式基板上方；第一导电通孔，贯穿整个扇出结构并且与内埋式基板中的第一芯片的第一接合垫连接。本申请的实施例另一方面提供一种形成半导体封装结构的方法。本申请的实施例至少提高了半导体封装结构的良率。

技术领域

本发明涉及领域半导体领域，具体地，涉及一种半导体封装结构及其形成方法。

背景技术

现有的量产的衬底无法实现线路层的线宽/间距为较大，并且其通孔尺寸较大。在现有技术中，芯片内埋于衬底在进行后续的扇出或集成工艺时容易受到翘曲的影响，造成制程上的困难。并且翘曲会导致最终产品的良率下降。

发明内容

针对相关技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种半导体封装结构及其形成方法，以提高半导体封装结构的良率。

为实现上述目的，本发明提供了一种半导体封装结构，包括：内埋式基板；扇出结构，位于内埋式基板上方；第一导电通孔，贯穿整个扇出结构并且与内埋式基板中的第一芯片的第一接合垫连接。

根据本发明的实施例，内埋式基板还包括包围第一芯片的第一模塑材料；扇出结构位于第一模塑材料的上方，其中，第一导电通孔贯穿扇出结构中的介电层，并且穿过第一模塑材料以直接连接第一接合垫。

根据本发明的实施例，还包括：粘合层，内埋式基板通过粘合层和扇出结构粘合在一起，第一导电通孔还贯穿粘合层。

根据本发明的实施例，还包括：第二导电通孔，内埋式基板还包括第一线路层，由第一模塑材料覆盖；其中，第二导电通孔依次贯穿介电层、粘合层以及第一模塑材料以直接连接至第一线路层，第二导电通孔与第一芯片横向间隔开。

根据本发明的实施例，第二导电通孔设置在第一导电通孔和第一芯片的外围。

根据本发明的实施例，扇出结构包括：由介电层掩埋的底部线路层；从介电层的上表面暴露的顶部线路层，底部线路层和顶部线路层上下间隔开，第一导电通孔贯穿并且电连接底部线路层和顶部线路层。

根据本发明的实施例，第一导电通孔所穿过的顶部线路层的开口，大于所穿过的底部线路层的开口。

根据本发明的实施例，第一导电通孔所穿过的顶部线路层的开口、以及第一导电通孔所穿过的底部线路层的开口，均为上宽下窄的截锥形开口，第一导电通孔为上宽下窄的截锥形。

根据本发明的实施例，顶部线路层的与第一导电通孔接触的部分，在俯视时呈环形形状。

根据本发明的实施例，扇出结构中线路的线宽和间距，分别小于内埋式基板中线路的线宽和间距。

根据本发明的实施例，扇出结构中线路层的层数小于等于2，内埋式基板中线路层的层数小于等于4。

根据本发明的实施例，半导体封装结构为系统级封装结构。

根据本发明的实施例，还包括：第二芯片，位于扇出结构上并且电连接第一导电通孔；第二模塑材料，覆盖第二芯片。

本发明的实施例另一方面提供一种形成半导体结构的方法，包括：提供内埋式基板；将扇出结构设置在内埋式基板上方；形成贯穿扇出结构的第一导电通孔，以将扇出结构直接电连接至内埋式基板中的第一芯片。

根据本发明的实施例，通过粘合层将扇出结构粘合在内埋式基板上方，形成第一导电通孔包括：形成依次贯穿扇出结构中所有的线路层、粘合层直至露出第一芯片的接合垫的第一开孔；在第一开孔中填充导电材料以形成第一导电通孔。

根据本发明的实施例，第一开孔为激光钻孔。