[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

氧化物半导体层，设置于所述基板上；

阻挡层，设置于所述氧化物半导体层上；

氧化物保护层，设置于所述阻挡层上；

栅极绝缘层，设置于所述阻挡层和所述氧化物保护层上；以及

栅极，设置于所述栅极绝缘层上。

2.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述氧化物保护层上设有一沟道，所述阻挡层在所述基板上的正投影至少覆盖所述沟道在所述基板上的正投影。

3.根据权利要求2所述阵列基板，其特征在于，还包括：

层间介质层，设置于所述栅极、所述氧化物保护层和所述基板上；以及

源极和漏极，设置于所述层间介质层上，所述源极和漏极分别穿过所述层间介质层与所述氧化物保护层电连接。

4.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述氧化物半导体层的材料为C轴对齐的结晶铟镓锌氧化物。

5.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述氧化物保护层的材料为氧化铟锡。

6.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述阻挡层的材料为铟镓锌锡氧化物。

7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板，在所述基板上形成氧化物半导体层；

在所述氧化物半导体层上形成阻挡层；

在所述阻挡层上形成氧化物保护层；以及

在所述阻挡层和所述氧化物保护层上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成栅极。

8.根据权利要求7所述用于制作阵列基板的方法，其特征在于，在所述基板上形成氧化物半导体层包括：

在所述基板上形成铟镓锌氧化物层，并通过一高温制程使所述铟镓锌氧化物层中的铟镓锌氧化物转换为C轴对齐的结晶铟镓锌氧化物，以形成材料为C轴对齐的结晶铟镓锌氧化物的所述氧化物半导体层。

9.根据权利要求7所述用于制作阵列基板的方法，其特征在于，所述在所述阻挡层上形成氧化物保护层包括：

在所述阻挡层上形成氧化铟锡层；

在所述氧化铟锡层上形成一沟道，以形成所述氧化物保护层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至6中任一项所述的阵列基板。