[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，所述阵列基板包括：基板；氧化物半导体层，设置于所述基板上；阻挡层，设置于所述氧化物半导体层上；氧化物保护层，设置于所述阻挡层上；栅极绝缘层，设置于所述阻挡层和所述氧化物保护层上；以及栅极，设置于所述栅极绝缘层上。由此，能够有效地降低外界环境中的酸、水、氧气等因素对阵列基板的电学性能产生干扰，而且还可以有效地阻挡湿法蚀刻时对氧化物半导体层过度刻蚀而造成断线等工艺不稳定的问题，从而能够稳定不同批次的阵列基板的电学性能，并提高阵列基板的电子迁移率和器件稳定性。

技术领域

本发明大体上涉及显示技术领域，并且更具体地涉及阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

随着液晶显示器尺寸的不断增大，驱动频率也不断提高，传统的非晶硅薄膜晶体管由于其电子迁移率而很难满足需求。相比于传统的非晶硅薄膜晶体管，IGZO(IndiumGallium Zinc Oxide：铟镓锌氧化物)薄膜晶体管具备较好的物理性质，包括低工艺温度带来的高电子迁移率、优良的均匀性、以及表面平坦性等，这可以为显示技术领域的发展提供帮助。

然而，由于IGZO薄膜晶体管中的IGZO层对环境比较敏感，特别是在IGZO层暴露于空气中时，其表面缺陷容易吸收空气中的H₂O和O₂，而导致IGZO层中的氧空缺增加，从而增加载流子的浓度，最终会影响IGZO薄膜晶体管器件的电学性能。另外，在形成IGZO薄膜晶体管的其它膜层时，IGZO层容易受到刻蚀液的过度刻蚀，从而造成断线等工艺不稳定的问题。

发明内容

鉴于上述内容，本发明提出了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，以有效地降低外界环境中的酸、水、氧气等对IGZO层的干扰，并有效地预防湿法蚀刻时对IGZO层过度刻蚀而造成断线等工艺不稳定的问题。

为实现上述目的及其它相关目的，本发明的一方面提供了一种阵列基板，其包括：

基板；

氧化物半导体层，设置于所述基板上；

阻挡层，设置于所述氧化物半导体层上；

氧化物保护层，设置于所述阻挡层上；

栅极绝缘层，设置于所述阻挡层和所述氧化物保护层上；以及

栅极，设置于所述栅极绝缘层上。

在一些实施例中，所述氧化物保护层上设有一沟道，所述阻挡层在所述基板上的正投影至少覆盖所述沟道在所述基板上的正投影。

在一些实施例中，所述阵列基板还包括：

层间介质层，设置于所述栅极、所述氧化物保护层和所述基板上；以及

源极和漏极，设置于所述层间介质层上，所述源极和漏极分别穿过所述层间介质层与所述氧化物保护层电连接。

在一些实施例中，所述氧化物半导体层的材料为C轴对齐的结晶铟镓锌氧化物。

在一些实施例中，所述氧化物保护层的材料为氧化铟锡。

在一些实施例中，所述阻挡层的材料为铟镓锌锡氧化物。

本发明的另一个方面提供了一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

提供一基板，在所述基板上形成氧化物半导体层；

在所述氧化物半导体层上形成阻挡层；

在所述阻挡层上形成氧化物保护层；以及

在所述阻挡层和所述氧化物保护层上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成栅极。

在一些实施例中，在所述基板上形成氧化物半导体层包括：