[发明专利]一种反熔丝一次性可编程存储单元

权利要求书

1.一种反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，包括：

基板；

混合选择晶体管，所述混合选择晶体管形成在所述基板上：

形成于所述基板上的第一栅极介电层，其中所述第一栅极介电层薄于40nm，所述第一栅极介电层启用低电压选择晶体管装置；

形成在所述栅极介电层上的第一栅极；

形成在所述基板中的第一高压结；以及

形成于所述基板中的低电压结，

其中，所述选择晶体管的源极和漏极由所述第一高电压结和所述低电压结形成；以及

在所述基板上形成的混合反熔丝电容器：

第二栅极介电层，所述第二栅极介电层形成于所述基板上，其中所述第二栅极介电层薄于40nm，所述第二栅极介电层启用低电压反熔丝电容器装置；

形成在所述栅极介电层上的第二栅极；

第二高压结，形成在所述基板中；以及

形成于所述基板中的第三高电压结，

其中所述反熔丝电容器的源极和漏极分别由所述第二高电压结和所述第三高电压结形成。

2.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述反熔丝电容器的所述第二高压结和所述第三高压结由所述基板中的沟道隔开。

3.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述反熔丝电容器的所述第二高压结和所述第三高压结电连接。

4.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第一栅极介电层或所述第二栅极介电层薄于30nm。

5.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述混合选择晶体管是在3.3v或以下操作的低电压装置。

6.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述混合反熔丝电容器是在3.3v或以下操作的低电压装置。

7.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第一高电压结或所述第二高电压结或所述第三高电压结具有高于3.3伏的阈值结击穿电压。

8.根据权利要求7所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第一高压结或所述第二高压结或所述第三高电压结具有高于5伏的阈值结击穿电压。

9.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第二高电压结和所述第三高电压结电连接。

10.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述低电压结包括在比远离所述第一栅极介电层的第二掺杂区低的掺杂水平下与所述第一栅极介电层相邻的第一掺杂区。

11.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第一高电压结包括在比远离所述第一栅极电介质层的第二掺杂区低的掺杂水平下与所述第一栅极电介质层相邻的第一掺杂区。

12.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第一高电压结具有实质上均匀的掺杂水平。

13.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第二高电压结或所述第三高电压结包括在比远离所述第二栅极电介质层的第二掺杂区低的掺杂水平下与所述第二栅极电介质层相邻的第一掺杂区。

14.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第二高电压结或所述第三高电压结具有实质上均匀的掺杂水平。