[发明专利]闪存的内存控制器及其控制方法

说明书

发明提供一种内存控制器及其控制方法。闪存的控制方法包括：检查闪存中多个存储分节分别对应的多个损坏存储行数量；依据每一损坏存储行数量以选择N个备用行来取代对应的每一存储分节中的N个损坏存储行，其中N为不小于0的整数；以及，依据每一损坏存储行数量以调整对应每一存储分节的错误纠正动作的层级，以提升错误纠正能力。

技术领域

本发明涉及一种闪存的内存控制器及其控制方法，尤其涉及有关于一种可提升错误纠正能力的闪存的内存控制器及其控制方法。

背景技术

在反及式闪存中，一个存储页可以区分为多个存储分节，一个存储分节可以区分为多个存储行，一个存储行内有八个存储位。对应多个存储分节，闪存另提供存储多个备用行来存储错误纠正码。

在现有技术领域中，备用行的数量是固定的，且对应执行的错误纠正动作的层级也是固定的。在实际的应用上，存储分节中发生的错误位数可能有一定的数量是来自于损坏存储行。而一个损坏存储行所造成的每一个存储位错误，皆需要14个位的错误纠正码来进行错误纠正动作。在这样的条件下，在当存储分节中发生的错误位数过高时，则可能使错误纠正码不足以进行错误纠正的动作，并降低闪存的数据可靠度。

发明内容

本发明是针对一种闪存的内存控制器及其控制方法，可提升错误纠正的能力。

根据本发明的实施例，闪存的控制方法包括：检查闪存中多个存储分节分别对应的多个损坏存储行数量；依据每一损坏存储行数量以选择N个备用行来取代对应的每一存储分节中的N个损坏存储行，其中N为不小于0的整数；以及，依据每一损坏存储行数量以调整对应每一存储分节的错误纠正动作的层级。

根据本发明的实施例，内存控制器包括核心电路以及错误纠正装置。核心电路在闪存中多个存储分节分别对应的多个损坏存储行数量中，依据每一损坏存储行数量以选择N个备用行来取代对应的每一存储分节中的N个损坏存储行，其中N为不小于0的整数。错误纠正装置耦接闪存，用以依据每一损坏存储行数量以调整对应每一存储分节的错误纠正动作的层级。

根据上述，本发明通过利用备用行来取代存储分节中的损坏存储行来降低错误纠正动作所需纠正的位数，再通过动态调整错误纠正动作的层级，以增加错误纠正动作的处理速度。如此一来，内存控制器的错误纠正能力可以有效的被提升。

附图说明

包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1是根据本发明的实施例的一种闪存的控制方法的流程图；

图2A以及图2B是根据本发明实施例的损坏存储行的取代动作的示意图；

图3为根据本发明一实施例的内存控制器的示意图；

图4是依照本发明实施例的内存控制器的错误纠正装置的实施方式的示意图；

图5是根据本发明实施例的内存控制器的错误纠正装置的实施方式的示意图。

附图标号说明

S110～S130：步骤；

SEC1、SEC1’：存储分节；

SPC1：备用区；

MC1～MCA：存储行；

SC1～SCM：备用行；

BB1、BB2、BB3、EB1、EB2：位；

DSSC：未被选中区；

SSC：被选中区；

300：内存控制器；

301、401：闪存；