[发明专利]外延取向液晶显示器

说明书

本发明涉及一种液晶显示器，更具体地涉及一种外延取向液晶显示器（EALCD）。半摩擦半波配置的超快响应时间使显示器能够以下一代信息终端的高帧速率进行寻址。

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器，更具体地涉及一种外延取向液晶显示器（EALCD）。半摩擦半波配置的超快响应时间使显示器能够以下一代信息终端的高帧速率进行寻址。

背景技术

1968年，美国无线电公司（RCA）的Williams发现，向列型液晶形成畴结构并且在电场中具有光散射现象。Heilmeir随后开发了动态散射模式，即世界上第一台液晶显示器。Helfrich、Schadt和Fergason分别于1971年发明了扭曲向列型（TN）。TN波导效应与集成电路的结合构成了一种显示设备（TN-LCD），这为液晶的应用开创了广阔的前景。自此，由于大规模集成电路的发展和液晶材料的进步，现有技术中的液晶显示器取得了突破。1983年到1985年，Scheffer等人先后提出了超扭曲向列（STN）模式，并且重新采用了1972年由西屋公司（Western House）的Brody提出的AMLCD模式。常规的TN-LCD技术已转移成STN-LCD和TFT-LCD技术。尽管STN扫描线可以达到VGA级别，但是当温度升高时，仍然存在一些缺点，例如响应速度、视角和灰度。因此，对于大面板、高信息量、高色彩质量的显示器，有源矩阵显示器成为首选。TFT-LCD已广泛用于直视式电视、大屏幕投影电视、计算机监视器和某些军事仪器显示器。相信TFT-LCD技术将有更广泛的应用。

有源矩阵结构有两种类型：第一种是在作为基板的硅晶片上的金属氧化物半导体（MOS）。第二种是在玻璃基板上制造的薄膜晶体管（TFT）。

由于在显示单元或模块组件的各个部分的接合处存在许多问题，单晶硅作为基板在其显示尺寸上存在局限性。因此，第二种TFT有源矩阵是有前景的。早期的TFT显示器通常是TFT-TN模式。TFT基板包括化合物半导体，例如多晶硅以及非晶硅。

在过去的十年中，对于大面板显示器（例如监视器和电视），面内切换（IPS）模式和垂直取向（VA）模式由于其视角和对比度比TFT-TN显示器大而在信息产业中日渐流行。但是，IPS显示器和VA显示器的响应时间都没有TN显示器的响应时间那么快，尽管后者对于5G通信技术所需的高帧频显示终端来说仍然不够快。

发明内容

本发明的主要目的在于实现一种超快TFT外延取向液晶显示器。

本发明的另一个目的在于制造一种不定畴半波向列型液晶显示器。

本发明的另一个目的在于在液晶显示器的基板上采用一侧平行摩擦层，以及另一侧平行非摩擦层。

本发明的又一个目的在于制成一种TFT寻址的半蓝光波段液晶显示器。

本发明的另一个目的在于利用扭曲波导效应来抑制液晶的色散，以实现优异的色彩再现。

本发明的又一个目的在于使用滤色器阵列获得全彩显示。

本发明的又一个目的在于创造一种具有优良视角的液晶显示器。

本发明的另一个目的在于实现优异的快速切换速度。

本发明的最终目的在于实现一种外延取向半摩擦半波液晶显示器。

附图说明

图1示出了外延取向液晶显示器（EALCD）的示意性结构。

图2示出了EALCD的示意性反向结构。

图3示出了EALCD的光电曲线。

图4示出了EALCD的光电响应时间曲线。

图5示出了EALCD的视角。

图6示出了反向EALCD的视角。