[发明专利]基于分数槽集中绕组永磁电机的双绕组低谐波设计方法有效
申请号: | 202011115793.3 | 申请日: | 2020-10-19 |
公开(公告)号: | CN112366912B | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 杜怿;徐晨;朱孝勇;全力;肖凤 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | H02K21/22 | 分类号: | H02K21/22;H02K1/16;H02K15/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 分数 集中 绕组 永磁 电机 谐波 设计 方法 | ||
1.一种基于分数槽集中绕组永磁电机的双绕组低谐波设计方法,分数槽集中绕组永磁电机采用内定子结构,包括Ns1个定子齿和一个定子铁心轭部,相邻两个定子齿之间形成定子外槽,定子外槽内绕制原电枢绕组,其特征是包括以下步骤:
步骤1):给原电枢绕组中通入三相电流,得到原电枢绕组的电枢反应磁场气隙磁密、单相电枢反应磁场基波极对数p1以及p1对极非工作谐波的幅值A1=Λ0n1i1Fam1/1+Λk1n1i1Fam1’/m1,且k1和m1符合k1Ns1±m1p1=p1;Λ0为基波傅里叶系数,n1为原电枢绕组每个线圈的匝数,i1为原电枢绕组电流有效值,Fam1为原电枢绕组电枢反应磁动势傅里叶分解的系数,Λk1为原电枢绕组高次谐波傅里叶系数,Λk1∈Λk,Λk为高次谐波傅里叶系数,Fam1’为经气隙磁导后原电枢绕组电枢反应磁动势傅里叶分解的系数,m1∈m,m为经气隙磁导后原电枢绕组电枢反应磁动势中奇数次谐波的次数,m=1,3,5…,k1∈k,k为谐波次数,k=1,2,3…;
步骤2):在所述定子铁心轭部上开设位于所述定子外槽的内侧的Ns2个内槽,内槽数Ns2与所述极对数p1之比为整数,在所述内槽内绕制副绕组,副绕组极对数为p1;
步骤3):根据内槽数Ns2和副绕组的极对数p1确定槽距角α=360×p1/Ns2和副绕组的绕制方式;
步骤4):在副绕组中通入三相电流,得到副绕组的电枢反应磁场气隙磁密以及p1对极幅值B1=Λ0n2i2Fam2/1+Λk2n2i2Fam2’/m2,A1=B1,且k2和m2符合k2Ns1±m2p1=p1,由幅值A1=B1得到其中的n2×i2的值为C;n2为副绕组的每个线圈的匝数,i2为副绕组的电流有效值,Fam2为副绕组电枢反应磁动势分解的系数,Fam2’为经气隙磁导后副绕组电枢反应磁动势傅里叶分解的系数,Λk2∈Λk,m2∈m;
步骤5):根据公式确定所述内槽的半槽径向截面积S2,δ为槽满率,取0.5~0.8,J为槽电流密度;原电枢绕组产生的幅值最大的非工作谐波磁场和副绕组产生的幅值最大的谐波磁场相位相差180°,原电枢绕组所通A相电流副绕组所通A相电流Δθ是原电枢绕组和副绕组通入的电流相位角差值,ωe为电速度,t为电流周期。
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