[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的堆叠层；

在垂直所述衬底的第一纵向贯穿所述堆叠层、且在平行于所述衬底的第一横向延伸的至少两条栅线狭缝；

在所述第一纵向贯穿所述堆叠层、且位于相邻两条所述栅线狭缝之间与所述栅线狭缝平行的多行存储串，每个所述存储串包括多个子存储串；

在平行于所述衬底的第二横向延伸的多条位线，在相邻两条所述栅线狭缝之间、每条所述位线连接两个所述子存储串；

位于所述第一横向的顶部选择栅沟槽，所述顶部选择栅沟槽位于连接在一条所述位线的两个所述子存储串之间；

其中，所述多行存储串包括靠近所述栅线狭缝的第一行和第三行、以及位于所述第一行和第三行之间的第二行；所述第一行与所述第三行中的各存储串、相对于所述第二行中的各存储串，在所述第一横向上向同一方向偏移特定距离，且所述特定距离为相邻两条所述位线之间的距离。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述存储串在平行于所述衬底的截面为具有四个花瓣的花瓣形，每个所述存储串包括四个所述子存储串，每个所述子存储串对应一个所述花瓣。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二行的一个所述存储串中，两个所述子存储串连接一条所述位线；所述第一行的一个所述子存储串、与所述第三行的一个所述子存储串连接一条所述位线。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述多条位线包括从左至右的第一条、第二条、第三条、第四条、第五条和第六条；在所述第一行和所述第三行的一个所述存储串中，四个所述子存储串分别连接所述第二条、第三条、第五条和第六条位线；在所述第二行的一个所述存储串中，四个所述子存储串中的两个连接所述第一条位线，另两个连接所述第四条位线。

5.根据权利要求2～4任一项所述的半导体器件，其特征在于，每个所述子存储串包括一个子沟道层，每个所述存储串包括四个所述子沟道层、以及与每个所述子沟道层分别连接的子接触栓塞。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，一个所述存储串的四个所述子接触栓塞被两条交叉的栓塞隔槽所分隔，所述两条栓塞隔槽包括位于所述第一横向的第一栓塞隔槽、以及与所述第一栓塞隔槽交叉的第二栓塞隔槽。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述子接触栓塞通过金属触点与所述位线连接。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述多行存储串包括靠近所述栅线狭缝的第一行和第三行、以及位于所述第一行和第三行中间的第二行；所述顶部选择栅沟槽、与所述第二行存储串上的第一栓塞隔槽，在所述第二横向上的位置相同。

9.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

形成位于所述衬底上的堆叠层；

形成在垂直所述衬底的第一纵向贯穿所述堆叠层、且在平行于所述衬底的第一横向延伸的至少两条栅线狭缝；

形成在所述第一纵向贯穿所述堆叠层、且位于相邻两条所述栅线狭缝之间与所述栅线狭缝平行的多行存储串，每个所述存储串包括多个子存储串；

在所述第一横向形成顶部选择栅沟槽，所述顶部选择栅沟槽位于连接到一条位线的两个所述子存储串之间；

形成在平行于所述衬底的第二横向延伸的多条位线，在相邻两条所述栅线狭缝之间、每条所述位线连接两个所述子存储串；

其中，形成所述多行存储串的步骤包括：形成靠近所述栅线狭缝的第一行和第三行、以及位于所述第一行和第三行之间的第二行，所述第一行与所述第三行中的各存储串、相对于所述第二行中的各存储串，在所述第一横向上向同一方向偏移特定距离，且所述特定距离对应于相邻两条所述位线之间的距离。