[发明专利]半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备在审
| 申请号： | 202011132912.6 | 申请日： | 2015-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112510097A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;冈崎健一;片山雅博;中田昌孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;姜冰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 显示装置 显示 模块 以及 电子设备 | ||
1.一种半导体装置，包括：
第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；
所述氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；
所述栅极绝缘膜上的栅电极；
所述栅电极上的第二绝缘膜；
与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；以及
与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极，
所述第二绝缘膜具有与所述栅极绝缘膜的上表面接触的区域、与所述栅极绝缘膜的侧面接触的区域以及与所述氧化物半导体膜的上表面接触的区域，
所述第一绝缘膜具有第一区域和第二区域，
所述第一区域与所述氧化物半导体膜重叠，
所述第二区域不与所述氧化物半导体膜、所述栅极绝缘膜及所述栅电极的任一方重叠，
所述第二区域的膜厚度小于所述第一区域的膜厚度。
2.一种半导体装置，包括：
第一栅电极；
所述第一栅电极上的第一绝缘膜；
所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；
所述氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；
所述栅极绝缘膜上的第二栅电极；
所述第二栅电极上的第二绝缘膜；
与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；以及
与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极，
所述第二绝缘膜具有与所述栅极绝缘膜的上表面接触的区域、与所述栅极绝缘膜的侧面接触的区域以及与所述氧化物半导体膜的上表面接触的区域，
所述第一绝缘膜具有第一区域和第二区域，
所述第一区域与所述氧化物半导体膜重叠，
所述第二区域不与所述氧化物半导体膜、所述栅极绝缘膜及所述第二栅电极的任一方重叠，
所述第二区域的膜厚度小于所述第一区域的膜厚度。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，
其中所述第一绝缘膜是包含氮的绝缘膜及包含氧的绝缘膜的层叠构造。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述氧化物半导体膜具有第三区域和第四区域，
所述第三区域与所述栅极绝缘膜及所述栅电极重叠，
所述第四区域不与所述栅极绝缘膜及所述栅电极的任一方重叠，
所述第四区域的膜厚度小于所述第三区域的膜厚度。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中所述第一栅电极是包含铜的导电膜的层叠构造。
6.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中所述氧化物半导体膜具有第三区域和第四区域，
所述第三区域与所述栅极绝缘膜及所述第二栅电极重叠，
所述第四区域不与所述栅极绝缘膜及所述第二栅电极的任一方重叠，
所述第四区域的膜厚度小于所述第三区域的膜厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011132912.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
