[发明专利]半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备

说明书

本申请公开一种半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备，所公开的反应腔室中：端盖部通过铰链机构与腔室本体铰接，安装件可拆卸地设置于腔室本体上，端盖本体活动设置于安装件上，匀流装置设置于端盖本体朝向腔室本体的一侧；绝缘调节件包括绝缘调节基部和调节螺杆，绝缘调节基部与端盖本体可拆卸相连，绝缘调节基部设置于腔室本体上，且位于安装件内侧，安装件开设有与调节螺杆螺纹配合的螺纹通孔，调节螺杆的一端穿过螺纹通孔，且抵触于绝缘调节基部上；在调节螺杆转动的情况下，调节螺杆推动绝缘调节基部、端盖本体和匀流装置移动。上述方案能够解决匀流板以及匀流喷头与反应腔室的同心度较低的问题。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备。

背景技术

晶圆的制造包含许多不同的阶段，每一阶段又包含各种不同的制程，气相沉积是其中重要的制程之一。气相沉积过程主要包含利用加热或等离子体等各种能源，通过化学反应的方式，在反应腔室内使实验物质之间发生化学反应或与相应的气体发生化学反应生成另一种气态化合物的技术，然后经过物理载带或者化学迁移的方式，使得这种气态化合物被输送到与反应物质源区温度不同的相应区域进行沉积，从而形成固态沉积物。

目前，半导体工艺设备的反应腔室的结构如图1所示，承载装置101安装在腔体102中，端盖103与腔体102形成容纳腔，且端盖103通过铰链104与腔体102铰接，且端盖103浮搁在腔体102上，以使反应腔室的端盖103可以打开，端盖103上设置有匀流板105以及匀流喷头106，匀流板105以及匀流喷头106能够使反应气体均匀地喷射晶圆表面，这就要求匀流板105以及匀流喷头106与晶圆的同心度较高，也就是要求匀流板105以及匀流喷头106与承载装置101的同心度较高。但是，在目前的反应腔室开盖的过程中，为了保证开盖过程中的平顺性，铰链104的轴与轴套之间需要间隙配合，多次开盖会导致端盖103与腔体102的相对位置发生变化，也就会导致端盖103与承载装置101的相对位置发生变化，进而导致设置在端盖103上的匀流板105以及匀流喷头106与承载装置101的同心度较低，致使晶圆的工艺结果较差。

发明内容

本申请公开一种半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备，能够解决匀流板以及匀流喷头与反应腔室的同心度较低的问题。

为解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

本申请实施例公开一种半导体工艺设备的反应腔室，包括腔室本体，端盖部、绝缘调节件和铰链机构，其中：

所述端盖部包括端盖本体、安装件和匀流装置，所述端盖部通过所述铰链机构与所述腔室本体铰接，所述安装件可拆卸地设置于所述腔室本体上，所述端盖本体活动设置于所述安装件上，所述匀流装置设置于所述端盖本体朝向所述腔室本体的一侧；

所述绝缘调节件包括绝缘调节基部和调节螺杆，所述绝缘调节基部与所述端盖本体可拆卸相连，所述绝缘调节基部设置于所述腔室本体上，且位于所述安装件内侧，所述安装件开设有与所述调节螺杆螺纹配合的螺纹通孔，所述调节螺杆的一端穿过所述螺纹通孔，且抵触于所述绝缘调节基部上；

在所述调节螺杆转动的情况下，所述调节螺杆推动所述绝缘调节基部、所述端盖本体和所述匀流装置移动。

本申请实施例还公开一种半导体工艺设备，包括上述的反应腔室。

本申请采用的技术方案能够达到以下有益效果：