[发明专利]功率半导体装置在审
申请号: | 202011146157.7 | 申请日: | 2020-10-23 |
公开(公告)号: | CN112750801A | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 石桥秀俊;木村义孝;江草稔;浅地伸洋;勅使河原一成 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L25/16 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 半导体 装置 | ||
1.一种功率半导体装置,其具有:
功率半导体元件;
控制电路,其对所述功率半导体元件进行控制;
控制基板,其安装有所述控制电路;
盖,其以在第1方向上与所述控制基板的至少一部分重叠的方式配置;以及
至少一个外部连接端子,其具有与所述控制基板连接的第1部分、与外部设备连接的第2部分、以及位于所述第1部分与所述第2部分之间且与所述盖固定的第3部分,所述第1部分构成为压配合部。
2.根据权利要求1所述的功率半导体装置,其中,
所述至少一个外部连接端子的所述第1部分以及所述第3部分在所述第1方向上并排配置,
所述至少一个外部连接端子在所述第1部分与所述第3部分之间还具有第4部分,
所述第4部分的刚性低于所述第3部分的刚性。
3.根据权利要求2所述的功率半导体装置,其中,
在与所述第1方向垂直的剖面中,所述第4部分的剖面积的最小值小于所述第3部分的剖面积的最小值。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的功率半导体装置,其中,
所述至少一个外部连接端子包含多个外部连接端子,
所述多个外部连接端子在与所述第1方向交叉的第2方向上并排配置,
所述多个外部连接端子各自的所述压配合部以在与所述第1方向以及所述第2方向交叉的第3方向上弹性变形的方式配置。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的功率半导体装置,其还具有:
壳体,其以包围所述功率半导体元件、所述控制电路以及所述控制基板的方式配置,该壳体与所述盖一起构成所述功率半导体装置的外框的至少一部分;以及
封装树脂,其在所述壳体内对所述功率半导体元件进行封装,
所述壳体包含壁部,该壁部将相对于所述压配合部而位于与所述盖相反侧的区域划分为在与所述第1方向交叉的方向上相互并排配置的第1区域和第2区域,
在所述第1区域配置有所述功率半导体元件以及所述封装树脂,
在所述第2区域未配置所述封装树脂,
所述压配合部的前端配置于所述第2区域。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的功率半导体装置,其中,
在所述控制基板形成有贯通孔,
所述第1部分与所述贯通孔嵌合。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的功率半导体装置,其中,
所述盖以及所述至少一个外部连接端子的所述第3部分构成为一个部件。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的功率半导体装置,其中,
所述盖以及所述至少一个外部连接端子的所述第3部分是将分体部件组合而构成的。
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