[发明专利]功率半导体装置

说明书

功率半导体装置(100)具有：功率半导体元件(10)；控制电路(50)，其对功率半导体元件(10)进行控制；控制基板(51)，其安装有控制电路(50)；盖(60)，其以在第1方向(A)上与控制基板(51)的至少一部分重叠的方式配置；以及至少一个外部连接端子(70)，其具有与控制基板(51)连接的第1部分(71)、与外部设备连接的第2部分(72)、以及位于第1部分(71)与第2部分(72)之间且与盖(60)固定的第3部分(73)，第1部分(71)构成为压配合部。

技术领域

本发明涉及一种功率半导体装置。

背景技术

作为具有功率半导体元件和对功率半导体元件的驱动进行控制的控制电路的功率半导体装置，已知有智能功率模块(Intelligent Power Module，IPM)。IPM还具有：框体，其在内部收容功率半导体元件以及控制电路，并且框体由壳体以及盖构成；以及外部连接端子，其插入贯穿于盖，将控制电路和外部设备连接。

在日本专利第6455364号中公开了将外部连接端子与控制基板焊接起来的IPM以及IPM的制造方法，在该IPM的制造方法中，将被焊接起来的控制基板与外部连接端子的一体物固定于壳体之后，将形成有供外部连接端子插入贯穿的贯通孔的盖固定于壳体。

在上述IPM的制造方法中，焊接工序比较多。另外，在上述IPM的制造方法中，在将盖固定于壳体时，盖与外部连接端子发生干扰，外部连接端子以及盖的至少任一者发生变形，有可能损害可靠性。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种功率半导体装置，该功率半导体装置的制造方法中的焊接工序数与现有的IPM的制造方法的焊接工序数相比减少，并且与现有的IPM相比可靠性高。

本发明所涉及的功率半导体装置具有：功率半导体元件；控制电路，其对功率半导体元件进行控制；控制基板，其安装有控制电路；盖，其以在第1方向上与控制基板的至少一部分重叠的方式配置；以及至少一个外部连接端子，其具有与控制基板连接的第1部分、与外部设备连接的第2部分、以及位于第1部分与第2部分之间且与盖固定的第3部分，第1部分构成为压配合部。

本发明的上述以及其它目的、特征、方案以及优点将根据与附图关联地理解的本发明所涉及的下面的详细说明而变得明确。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的功率半导体装置的剖面图。

图2是实施方式1所涉及的功率半导体装置的分解斜视图。

图3是实施方式1所涉及的功率半导体装置的局部剖面图。

图4是表示实施方式1所涉及的功率半导体装置的制造方法的一个工序的剖面图。

图5是表示实施方式1所涉及的功率半导体装置的制造方法的位于图4所示的工序后的一个工序的剖面图。

图6是表示实施方式1所涉及的功率半导体装置的制造方法的位于图5所示的工序后的一个工序的剖面图。

图7是实施方式2所涉及的功率半导体装置的一部分的斜视剖面图。

图8是实施方式3所涉及的功率半导体装置的剖面图。

图9是实施方式3所涉及的功率半导体装置的外部连接端子以及壳体的局部剖面图。

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的实施方式。此外，在下面的附图中，对于相同或者相当的部分标注相同的参照编号，不重复其说明。

实施方式1.

功率半导体装置的结构