[发明专利]一种高功率VCSEL阵列芯片倒装焊封装结构及制备方法

权利要求书

1.一种高功率VCSEL阵列芯片倒装焊封装结构，其特征在于，包括：底发射二维周期性VCSEL阵列芯片、热沉和多层单晶反射膜层；

所述底发射二维周期性VCSEL阵列芯片包括衬底层和设于所述衬底层底部的二维周期性VCSEL发光单元；所述VCSEL发光单元的底部通过焊料层与所述热沉相连，所述衬底层的顶部设有多层单晶反射膜层，所述多层所述单晶反射膜层包括第一单晶反射膜层和第二单晶反射膜层，所述第一单晶反射膜层和所述第二单晶反射膜层具有与所述衬底层相同的晶格结构，通过MOCVD或MBE技术交替淀积不同材料的膜层，得到所述多层单晶反射膜层；

其中，所述衬底层厚度为与所述二维周期性VCSEL发光单元和激光波长相关的n倍Talbot距离或分数Talbot距离。

2.如权利要求1所述的高功率VCSEL阵列芯片倒装焊封装结构，其特征在于，所述衬底层包括GaAs衬底、GaN衬底和InP衬底中的一种，所述VCSEL发光单元包括二维四方型排布阵列、二维斜角型排布阵列和二维六边形排布阵列中的一种。

3.如权利要求1所述的高功率VCSEL阵列芯片倒装焊封装结构，其特征在于，所述焊料层的焊料包括Au-Sn合金焊料、锡铅合金焊料和共晶焊锡焊料中的一种。

4.如权利要求1所述的高功率VCSEL阵列芯片倒装焊封装结构，其特征在于，所述单晶反射膜层的材料包括GaAs，AlAs，AlGaAs中的一种。

5.一种如权利要求1～4中任一项所述的高功率VCSEL阵列芯片倒装焊封装结构的制备方法，其特征在于，包括：

选择底发射二维周期性VCSEL阵列芯片；其中，所述底发射二维周期性VCSEL阵列芯片包括衬底层和设于所述衬底层底部的二维周期性VCSEL发光单元；

将VCSEL发光单元的底部通过焊料固定在热沉上；

在所述衬底层的顶部设有多层所述单晶反射膜层；其中，所述单晶反射膜层具有与所述衬底层相同的晶格结构。