[发明专利]静电保护电路、集成电路及静电泄放方法

权利要求书

1.一种静电保护电路，其特征在于，包括：

脉冲检测单元，用于检测静电脉冲，其第一端连接第一焊盘，其第二端连接第二焊盘，其输出端输出检测结果信号；

泄放晶体管，栅极连接至所述脉冲检测单元的输出端，漏极连接至所述第一焊盘，源极连接至所述第二焊盘，用于在所述第一焊盘或第二焊盘有静电时使源极、漏极之间导通，以泄放静电电荷；

反馈延时单元，用于延长所述泄放晶体管泄放静电电荷时的导通时长；

所述反馈延时单元包括：PMOS管，源极连接至所述第一焊盘，栅极连接至所述脉冲检测单元的输出端；NMOS管，源极连接至所述第二焊盘，漏极连接至所述脉冲检测单元的输出端，栅极连接所述PMOS管的漏极；

处理单元，分别连接至所述脉冲检测单元的输出端和所述反馈延时单元，用于根据所述检测结果信号控制所述反馈延时单元的导通和关断。

2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述处理单元包括开关晶体管，栅极连接至所述脉冲检测单元的输出端，源极连接至所述第二焊盘，漏极连接至所述PMOS管的漏极。

3.根据权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于，所述开关晶体管为N型MOS管。

4.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述泄放晶体管为P型MOS管。

5.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述脉冲检测单元包括：

检测电阻，一端连接至所述第一焊盘，另一端连接至所述脉冲检测单元的输出端；

检测电容，一端连接至所述第二焊盘，另一端连接至所述脉冲检测单元的输出端。

6.根据权利要求5所述的静电保护电路，其特征在于，所述检测电阻的电阻值和所述检测电容的电容值的乘积小于0.1us。

7.根据权利要求6所述的静电保护电路，其特征在于，所述检测电容的电容值小于10pF。

8.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述泄放晶体管泄放静电电荷时的导通时长大于0.1微秒。

9.一种集成电路，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的静电保护电路，用于为所述集成电路上的焊盘泄放静电。

10.一种静电泄放方法，其特征在于，利用如权利要求1至8中任一项所述的静电保护电路进行静电泄放，包括以下步骤：

提供泄放晶体管，所述泄放晶体管分别连接到需进行静电泄放保护的第一区域以及第二区域；

控制所述泄放晶体管在所述第一区域和第二区域表面有静电电荷时导通；控制所述泄放晶体管在无需泄放静电时关断。