[发明专利]静电保护电路、集成电路及静电泄放方法在审

专利信息
申请号: 202011225663.5 申请日: 2020-11-05
公开(公告)号: CN114447895A 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 许杞安 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H02H9/00 分类号: H02H9/00;H02H9/02;H01L27/02
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 静电 保护 电路 集成电路 方法
【说明书】:

发明实施例提供一种静电保护电路、集成电路及静电泄放方法,其中,静电保护电路,包括:脉冲检测单元,第一端连接第一焊盘,其第二端连接第二焊盘,其输出端输出检测结果信号;泄放晶体管,栅极连接脉冲检测单元的输出端,漏极连接第一焊盘,源极连接第二焊盘;反馈延时单元,用于延长泄放晶体管泄放静电电荷时的导通时长;反馈延时单元包括:PMOS管,源极连接第一焊盘,栅极连接脉冲检测单元的输出端;NMOS管,源极连接第二焊盘,漏极连接脉冲检测单元的输出端,栅极连接PMOS管的漏极;处理单元,分别连接脉冲检测单元的输出端和反馈延时单元。本发明实施例以延长静电电荷的泄放时长,从而更彻底的泄放静电,提高对被保护的电路的保护效果。

技术领域

本发明涉及集成电路领域,特别涉及一种静电保护电路、集成电路及静电泄放方法。

背景技术

静电放电防护电路(electrostatic discharge protection circuit,ESDcircuit)是用以提供一低阻抗的电流路径,以将静电电荷导出。一般来说,现有静电放电防护的主要设计考虑包含有布局面积、启动电流、VDD至VSS的漏电流、以及操作上错误触发的避免机制。

现有技术中常出现静电电荷泄放不够彻底的问题,在这种情况下,静电保护电路的静电保护效果不佳,焊盘上未被泄放的静电电荷仍有可能作用到功能电路,毁损被静电保护电路保护的功能电路,严重影响集成电路的使用寿命。

发明内容

本发明实施例提供一种静电保护电路、集成电路及静电泄放方法,以延长静电电荷的泄放时长,从而更彻底的泄放静电,提高对被保护的电路的保护效果。

为解决上述技术问题,本发明的实施例提供了一种静电保护电路,包括:脉冲检测单元,用于检测静电脉冲,其第一端连接第一焊盘,其第二端连接第二焊盘,其输出端输出检测结果信号;泄放晶体管,栅极连接至脉冲检测单元的输出端,漏极连接至第一焊盘,源极连接至第二焊盘,用于在第一焊盘或第二焊盘有静电时使源极、漏极之间导通,以泄放静电电荷;反馈延时单元,用于延长泄放晶体管泄放静电电荷时的导通时长;反馈延时单元包括:PMOS管,源极连接至第一焊盘,栅极连接至脉冲检测单元的输出端;NMOS管,源极连接至第二焊盘,漏极连接至脉冲检测单元的输出端,栅极连接PMOS管的漏极;处理单元,分别连接至脉冲检测单元的输出端和反馈延时单元,用于根据检测结果信号控制反馈延时单元的导通和关断。

与相关技术相比,通过泄放晶体管泄放静电电荷,防止静电电荷作用到被保护的功能电路,造成功能电路的毁损。并且由于具有反馈延时电路,能够通过反馈延长泄放晶体管的导通时间,因此可以降低对脉冲检测单元的要求,使得无需设置具有较大时间常数的脉冲检测单元,即可具有足够长的导通时长,保证了泄放晶体管在泄放静电电荷时的导通时长,尽可能保证静电电荷泄放的更加彻底;在保证泄放晶体管的导通时长的同时,还能够减小脉冲检测单元中的元器件对集成电路的布图空间的占用;并且还通过处理单元避免在操作上错误触发上述静电防护功能。

另外,处理单元包括开关晶体管,栅极连接至脉冲检测单元的输出端,源极连接至第二焊盘,漏极连接至PMOS管的漏极。

另外,开关晶体管为N型MOS管。

另外,泄放晶体管为P型MOS管。

另外,脉冲检测单元包括:检测电阻,一端连接至第一焊盘,另一端连接至脉冲检测单元的输出端;检测电容,一端连接至第二焊盘,另一端连接至脉冲检测单元的输出端。

另外,检测电阻的电阻值和检测电容的电容值的乘积小于0.1us。

另外,检测电容的电容值小于10pF。

另外,泄放晶体管泄放静电电荷时的导通时长大于0.1微秒。

本发明实施例还提供了一种集成电路,包括上述静电保护电路,用于为集成电路上的焊盘泄放静电。

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