[发明专利]一种显示背板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202011253817.1 | 申请日: | 2020-11-11 |
公开(公告)号: | CN112382637A | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 王利忠;周天民 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 背板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示背板,其特征在于,包括:
衬板;
源极层,所述源极层设置在所述衬板上;
第一钝化层,所述第一钝化层设置在所述源极层背离所述衬板的一面;
漏极层,所述漏极层设置在所述第一钝化层背离所述衬板的一面;其中,在所述源极层、所述第一钝化层和所述漏极层上设置第一凹槽;所述第一凹槽从所述漏极层背离所述第一钝化层的一面贯穿至所述衬板朝向所述源极层的一面;所述第一凹槽开口处的宽度大于底部的宽度;
半导体层,所述半导体层设置在所述第一凹槽的内壁,与所述衬板、源极层、第一钝化层及所述漏极层连接。
2.根据权利要求1所述的显示背板,其特征在于,还包括:
第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述漏极层背离所述第一钝化层的一面,并覆盖所述第一凹槽内的所述半导体层;
第一栅极层,所述第一栅极层设置在所述第一凹槽内,并设置在所述第一绝缘层背离所述半导体层的一面;
第二钝化层,在所述第一凹槽的外侧,所述第二钝化层设置在所述第一绝缘层背离所述漏极层的一面,在所述第一凹槽内,所述第二钝化层设置在所述第一栅极层背离所述第一绝缘层的一面。
3.根据权利要求1所述的显示背板,其特征在于,在所述衬板和所述源极层之间,还包括:
第二绝缘层,所述第二绝缘层设置在所述衬板上,所述第二绝缘层背离所述衬板的一面设置第二凹槽;
第二栅极层,所述第二栅极层设置在所述第二凹槽内;
第三绝缘层,在所述第二凹槽外,所述第三绝缘层设置的所述第二绝缘层背离所述衬板的一面,在所述第二凹槽内,所述第三绝缘层设置在所述第二栅极层背离所述第二绝缘层的一面。
4.根据权利要求1所述的显示背板,其特征在于,所述第一凹槽的横截面的形状包括:三角形;所述三角形的顶角朝向所述衬板。
5.根据权利要求1所述的显示背板,其特征在于,所述第一凹槽的横截面的形状包括:梯形;所述梯形的第一底边朝向所述衬板,所述梯形的第二底边远离所述衬板;所述第一底边小于所述第二底边。
6.根据权利要求4或5所述的显示背板,其特征在于,所述第二凹槽的横截面的形状与所述第一凹槽的横截面的形状相同。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-6任意一项所述的显示背板。
8.一种显示背板的制备方法,其特征在于,包括:
提供衬板;
在所述衬板上形成源极层;
在所述源极层背离所述衬板的一面形成第一钝化层;
在所述第一钝化层背离所述衬板的一面形成漏极层;
在所述源极层、所述第一钝化层和所述漏极层形成第一凹槽;所述第一凹槽从所述漏极层背离所述第一钝化层的一面贯穿至所述衬板朝向所述源极层的一面;所述第一凹槽开口处的宽度大于底部的宽度;
在所述第一凹槽的内壁沉积半导体层;所述半导体层与所述衬板、源极层、第一钝化层及所述漏极层连接。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述漏极层背离所述第一钝化层的一面,及所述半导体层上形成第一绝缘层;
在所述第一凹槽内,所述第一绝缘层背离所述半导体层的一面形成第一栅极层;
在所述第一凹槽外侧的所述第一绝缘层背离所述漏极层的一面,及所述第一凹槽内,所述第一栅极层背离所述第一绝缘层的一面形成第二钝化层。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,在所述提供衬板之后,还包括:
在所述衬板上形成第二绝缘层,并在所述第二绝缘层朝向所述源极层的一面形成第二凹槽;
在所述第二凹槽内形成第二栅极层;
在所述第二凹槽外,所述第二绝缘层背离所述衬板的一面,以及在所述第二凹槽内,所述第二栅极层背离所述第二绝缘层的一面形成第三绝缘层;
则所述在所述衬板上形成源极层,包括:在所述第三绝缘层背离所述衬板的一面形成所述源极层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的