[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

于所述基底上形成第一掩膜图案和第一掩膜开口，所述第一掩膜开口位于相邻的所述第一掩膜图案之间；

于所述第一掩膜图案和所述第一掩膜开口上形成第二掩膜图案和第二掩膜开口，所述第二掩膜开口位于相邻的所述第二掩膜图案之间，其中，所述第二掩膜图案在所述基底上的投影和所述第一掩膜图案以及所述第一掩膜开口在所述基底上的投影至少部分重叠，且所述第二掩膜开口在所述基底上的投影和所述第一掩膜图案以及所述第一掩膜开口在所述基底上的投影至少部分重叠；

基于所述第一掩膜图案、所述第一掩膜开口、所述第二掩膜图案和所述第二掩膜开口在所述基底上形成第一图案和第一开口。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，

利用同一光罩形成所述第一掩膜图案、所述第一掩膜开口、所述第二掩膜图案和所述第二掩膜开口。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括：

于所述第一掩膜图案和所述第一掩膜开口上形成第一介质层，所述第一介质层填充所述第一掩膜开口，且所述第二掩膜图案和所述第二掩膜开口位于所述第一介质层上。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，

基于所述第二掩膜图案和所述第二掩膜开口图形化所述第一介质层以形成倒L型图案，所述倒L型图案包括倒L型顶部和倒L型侧部。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述基于所述第一掩膜图案、第一掩膜开口、第二掩膜图案和第二掩膜开口在所述基底上形成第一图案和第一开口的步骤，包括：

去除所述倒L型顶部上方的所述第二掩膜图案和所述倒L型侧部周边的所述第一掩膜图案；

去除所述倒L型顶部，保留所述倒L型侧部；

利用所述倒L型侧部刻蚀所述基底，在所述基底上形成所述第一图案和所述第一开口。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，

所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案的材质相同；

所述去除所述倒L型顶部上方的所述第二掩膜图案和所述倒L型侧部周边的所述第一掩膜图案的步骤，包括：

在同一刻蚀步骤中同时去除所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述基底上形成第一掩膜层；

所述基于所述第一掩膜图案、所述第一掩膜开口、所述第二掩膜图案和所述第二掩膜开口在所述基底上刻蚀所述基底上形成第一图案和第一开口的步骤，包括：

基于所述第一掩膜图案、所述第一掩膜开口、所述第二掩膜图案和所述第二掩膜开口在所述第一掩膜层上形成初始第一图案和初始第一开口；

形成填充所述初始第一开口的第二介质层；

在所述第二介质层上形成初始第二图案和初始第二开口；

基于所述初始第一图案、所述初始第一开口、所述初始第二图案和所述初始第二开口在所述基底中形成所述第一图案和所述第一开口。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在所述第二介质层上形成初始第二图案和初始第二开口的步骤，包括：

于所述第二介质层上形成第三掩膜图案和第三掩膜开口，所述第三掩膜开口位于相邻的所述第三掩膜图案之间；

于所述第三掩膜图案和所述第三掩膜开口上形成第四掩膜图案和第四掩膜开口，所述第四掩膜开口位于相邻的所述第四掩膜图案之间，其中，所述第四掩膜图案在所述基底上的投影和所述第三掩膜图案以及所述第三掩膜开口在所述基底上的投影至少部分重叠，且所述第四掩膜开口在所述基底上的投影和所述第三掩膜图案以及所述第三掩膜开口在所述基底上的投影至少部分重叠；

基于所述第三掩膜图案、所述第三掩膜开口、所述第四掩膜图案和所述第四掩膜开口在所述第二介质层上形成初始第二图案和初始第二开口。