[发明专利]一种芯片端口状态检测电路、芯片及通信终端

权利要求书

1.一种芯片端口状态检测电路，其特征在于包括端口检测转换电路、参考电压产生电路、第一比较器、第二比较器、动态偏置电流产生电路和芯片ID判断电路；所述第一比较器的一个输入端和所述第二比较器的一个输入端分别连接所述端口检测转换电路，所述第一比较器的另一个输入端和所述第二比较器的另一个输入端分别连接所述参考电压产生电路，所述第一比较器的输出端和所述第二比较器的输出端分别连接所述芯片ID判断电路；所述动态偏置电流产生电路分别连接所述第一比较器和所述第二比较器；

所述动态偏置电流产生电路包括启动单元、低功耗小电流产生单元和低电压大电流产生单元；所述启动单元连接所述低功耗小电流产生单元；所述低功耗小电流产生单元连接所述低电压大电流产生单元；

当所述低电压大电流产生单元和所述低功耗小电流产生单元分别接收低电平使能控制信号时，所述低电压大电流产生单元处于开启状态，所述低功耗小电流产生单元处于关闭状态，在电源电压开始建立到建立完成之前为所述第一比较器和所述第二比较器提供偏置电流；当所述低功耗小电流产生单元和所述低电压大电流产生单元分别接收高电平使能控制信号时，所述低功耗小电流产生单元处于开启状态，所述低电压大电流产生单元处于关闭状态，在电源电压建立完成之后为所述第一比较器和所述第二比较器提供偏置电流；

所述端口检测转换电路连接芯片的待检测端口，将所述待检测端口的状态转换为相应的电压，分别输出到所述第一比较器和所述第二比较器；所述第一比较器、所述第二比较器接收所述参考电压产生电路提供的输入参考电压，并将所述端口检测转换电路输出的电压与所述输入参考电压进行比较后，向所述芯片ID判断电路输出逻辑信号，所述芯片ID判断电路根据该逻辑信号输出与所述待检测端口状态对应的芯片ID，以区分多颗相同的芯片。

2.如权利要求1所述的芯片端口状态检测电路，其特征在于：

所述端口检测转换电路包括但不限于第一电阻和第二电阻；所述第一电阻和所述第二电阻串联，并且所述第一电阻和所述第二电阻之间的连接点接入芯片的待检测端口。

3.如权利要求1所述的芯片端口状态检测电路，其特征在于：

所述参考电压产生电路包括但不限于第三电阻、第四电阻和第五电阻；所述第三电阻、所述第四电阻和所述第五电阻串联，所述第三电阻、所述第四电阻和所述第五电阻对电源电压进行分压，分别得到高电位参考电压和低电位参考电压。

4.如权利要求1所述的芯片端口状态检测电路，其特征在于：

所述第一比较器包括第一比较单元和第一整形驱动单元，所述第一比较单元连接所述第一整形驱动单元；

所述第二比较器包括第二比较单元和第二整形驱动单元，所述第二比较单元连接所述第二整形驱动单元。

5.如权利要求4所述的芯片端口状态检测电路，其特征在于：

所述第一比较单元包括但不限于第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管；所述第一NMOS管的栅极连接所述参考电压产生电路的高电位参考电压输出端；所述第一NMOS管的漏极、所述第一PMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极、所述第三PMOS管的漏极和栅极以及所述第四PMOS管的栅极之间相互连接；所述第二NMOS管的栅极连接所述端口检测转换电路，所述第二NMOS管的漏极、所述第二PMOS管的漏极、所述第一PMOS管的栅极、所述第五PMOS管的漏极和栅极以及所述第六PMOS管的栅极之间相互连接；所述第一NMOS管与所述第二NMOS管的源极分别连接所述动态偏置电流产生电路的第一电流偏置端；所述第四PMOS管的漏极、所述第三NMOS管的漏极和栅极以及所述第四NMOS管的栅极之间相互连接；所述第四NMOS管的漏极、所述第六PMOS管的漏极以及所述第一整形驱动单元的输入端之间相互连接；所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管、所述第四PMOS管、所述第五PMOS管和所述第六PMOS管的源极分别连接电源电压，所述第三NMOS管与所述第四NMOS管的源极分别接地。