[发明专利]半导体结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202011279435.6 申请日: 2020-11-16
公开(公告)号: CN114512468A 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 吴秉桓 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L21/768
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种半导体结构,其特征在于,包括:

基底;

导电柱,所述导电柱至少位于所述基底中;

电连接层,所述电连接层与所述导电柱的端部相连接,且所述导电柱朝向所述电连接层的所述端部具有第一凸起部以及所述第一凸起部围成的至少一个凹槽,所述电连接层在与所述凹槽相对应的位置具有第二凸起部,所述第二凸起部内嵌于所述凹槽内。

2.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述凹槽在所述基底上的正投影为轴对称图形。

3.根据权利要求2所述的半导体结构,其特征在于,所述第一凸起部的数量为多个,且多个所述第一凸起部在所述基底上的正投影为轴对称图形。

4.根据权利要求2所述的半导体结构,其特征在于,所述第一凸起部的数量为1个,且所述第一凸起部在所述基底上的正投影为轴对称图形。

5.根据权利要求4所述的半导体结构,其特征在于,所述第一凸起部在所述基底上的正投影为环形或者十字形。

6.根据权利要求2所述的半导体结构,其特征在于,单个所述凹槽具有至少两个深度不同的区域。

7.根据权利要求1或6所述的半导体结构,其特征在于,所述端部具有至少两个间隔设置的所述凹槽,且各所述凹槽的深度不同。

8.根据权利要求1或2所述的半导体结构,其特征在于,所述端部包括中心区以及环绕所述中心区的外围区,且所述凹槽至少位于部分所述外围区。

9.根据权利要求8所述的半导体结构,其特征在于,所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽,所述第一凹槽在所述基底上的正投影为圆形,所述第二凹槽在所述基底上的正投影为封闭环状图形,所述第二凹槽环绕所述第一凹槽且还位于所述外围区。

10.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,还包括:至少一个隔离结构,所述隔离结构位于所述基底内,且所述隔离结构与所述导电柱的侧面相接触。

11.根据权利要求10所述的半导体结构,其特征在于,所述隔离结构为封闭环状结构,绕设于所述导电柱的侧面。

12.根据权利要求10所述的半导体结构,其特征在于,所述基底包括至少两个所述隔离结构,且至少两个所述隔离结构间隔绕设于所述导电柱的侧面。

13.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述电连接层还位于所述导电柱的侧面。

14.根据权利要求13所述的半导体结构,其特征在于,所述基底包括:依次堆叠设置的第一介质层、衬底以及第二介质层;所述电连接层位于所述第二介质层中或者位于所述第二介质层远离所述衬底的一侧。

15.一种半导体结构的制作方法,其特征在于,包括:

提供基底,所述基底包括导电柱区;

在所述导电柱区的所述基底内形成第一通孔,且所述第一通孔底部具有至少一个第一凸起结构;

填充所述第一通孔,形成所述导电柱,所述导电柱在与所述第一凸起结构相对应的位置具有凹槽,且所述导电柱具有围成所述凹槽的第一凸起部;

刻蚀靠近所述第一凸起结构的所述基底,露出所述凹槽的底部;

形成填充满所述凹槽的电连接层,且所述电连接层在与所述凹槽相对应的位置具有第二凸起部。

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