[发明专利]软磁性合金薄带及磁性部件有效
| 申请号： | 202011299166.X | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112837888B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 塚原拓也;中畑功;吉留和宏;松元裕之 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01F10/13 | 分类号： | H01F10/13 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;尹明花 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁性 合金 部件 | ||
1.一种软磁性合金薄带，其中，
含有Fe、P及Si，
X1为选自Co及Ni中的1种以上，
X2为选自Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Cu、Bi、S、N、O及稀土元素中的1种以上，
作为将Fe置换成X1及/或X2时的置换量的范围，以原子数基数计为Fe的一半以下，
在从所述软磁性合金薄带的表面向厚度方向的内部测定包含于软磁性合金薄带的元素的浓度分布的情况下，P的原子浓度的最大点及形成氧化物的Si的原子浓度的最大点存在于距所述表面20nm以内的区域，
所述P的原子浓度的最大点中的P的原子浓度的最大值为所述软磁性合金薄带的内部的P的原子浓度的1.5倍以上。
2.根据权利要求1所述的软磁性合金薄带，其中，
所述P的原子浓度的最大点比形成所述氧化物的Si的原子浓度的最大点远离所述表面。
3.根据权利要求1或2所述的软磁性合金薄带，其中，
形成所述氧化物的Si的原子浓度的最大点中的形成所述氧化物的Si的原子浓度的最大值为所述软磁性合金薄带的内部的Si的原子浓度的2.0倍以上。
4.根据权利要求1或2所述的软磁性合金薄带，其中，
Si的组成比为0.1at％以上且10at％以下。
5.根据权利要求1或2所述的软磁性合金薄带，其中，
P的组成比为0.1at％以上且低于4.0at％。
6.根据权利要求1或2所述的软磁性合金薄带，其中，
该软磁性合金薄带为非晶质。
7.根据权利要求1或2所述的软磁性合金薄带，其中，
包含纳米结晶。
8.一种磁性部件，其由权利要求1～7中任一项所述的软磁性合金薄带构成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社，未经TDK株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011299166.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：软磁性合金薄带及磁性部件
- 下一篇：存储器件和电子器件
