[发明专利]一种双发热丝的电子烟硅咪头的控制芯片及其控制方法有效
申请号: | 202011300943.8 | 申请日: | 2020-11-19 |
公开(公告)号: | CN112273731B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 王全;乐忠明 | 申请(专利权)人: | 钰泰半导体股份有限公司 |
主分类号: | A24F40/40 | 分类号: | A24F40/40;A24F40/50;A24F40/60;A24F40/46;A24F40/90 |
代理公司: | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人: | 杨学强 |
地址: | 226000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发热 电子 烟硅咪头 控制 芯片 及其 方法 | ||
1.一种双发热丝的电子烟硅咪头的控制芯片,其特征在于,所述控制芯片包括:
电容检测模块、主控算法模块、放电模块,所述电容检测模块用于获取电子烟硅咪中的微机电系统MEMS电容芯片的当前电容值,根据所述当前电容值和原始电容值获取减少量,主控算法模块判断所述减少量是否超过预设的电容变化阈值,如果超过,则获取第一发热丝的第一触发次数和第二发热丝的第二触发次数,并根据所述第一触发次数、第二触发次数与预设的触发次数阈值的关系控制所述放电模块进行放电,所述放电模块根据所述关系在宽电压域内对第一发热丝或第二发热丝进行放电,所述宽电压域为3.0V-4.2V;
所述根据所述第一触发次数、第二触发次数与触发次数阈值的关系控制所述放电模块进行放电,具体为:
如果所述第一触发次数高于所述第二触发次数,且高于次数大于所述触发次数阈值,则对所述第二发热丝进行放电;或者,
如果所述第一触发次数高于所述第二触发次数,且高于次数小于所述触发次数阈值,则对所述第一发热丝进行放电;或者,
如果所述第二触发次数高于所述第一触发次数,且高于次数大于所述触发次数阈值,则对所述第一发热丝进行放电;或者,
如果所述第二触发次数高于所述第一触发次数,且高于次数小于所述触发次数阈值,则对所述第二发热丝进行放电。
2.如权利要求1所述的控制芯片,其特征在于,所述控制芯片还包括:
第一显示设备和第二显示设备,所述第一显示设备用于表示所述第一发热丝的使用状态,所述第二显示设备用于表示所述第二发热丝的使用状态。
3.如权利要求1-2任一项所述的控制芯片,其特征在于,电子烟硅咪包括封装壳体、MEMS电容芯片以及ASIC芯片,MEMS电容芯片与ASIC芯片电性连接,所述ASIC芯片通过电容检测模块获取MEMS电容芯片的电容值。
4.如权利要求1~2任一项所述的控制芯片,其特征在于,所述电容变化阈值为3%。
5.一种双发热丝的电子烟硅咪的控制方法,其特征在于,所述控制方法包括:
获取MEMS电容芯片的当前电容值;
将所述当前电容值与存储的所述MEMS电容芯片的原始电容值进行比较,获取所述MEMS电容芯片的电容值的减少量;
将所述减少量与预设的电容变化阈值进行比较,判断所述减少量是否超过所述电容变化阈值;
如果超过,则获取第一发热丝的第一触发次数和第二发热丝的第二触发次数,并根据所述第一触发次数、第二触发次数与预设的触发次数阈值的关系,控制放电模块根据所述关系在宽电压域内对第一发热丝或第二发热丝进行放电,所述宽电压域为3.0V-4.2V;
所述根据所述第一触发次数、第二触发次数与触发次数阈值的关系控制所述放电模块进行放电,具体为:
如果所述第一触发次数高于所述第二触发次数,且高于次数大于所述触发次数阈值,则对所述第二发热丝进行放电;或者,
如果所述第一触发次数高于所述第二触发次数,且高于次数小于所述触发次数阈值,则对所述第一发热丝进行放电;或者,
如果所述第二触发次数高于所述第一触发次数,且高于次数大于所述触发次数阈值,则对所述第一发热丝进行放电;或者,
如果所述第二触发次数高于所述第一触发次数,且高于次数小于所述触发次数阈值,则对所述第二发热丝进行放电。
6.如权利要求5所述的控制方法,其特征在于,所述控制方法还包括:
通过第一显示设备显示所述第一发热丝的使用状态,通过第二显示设备显示所述第二发热丝的使用状态。
7.如权利要求5-6任一项所述的控制方法,其特征在于,电子烟硅咪包括封装壳体、MEMS电容芯片以及ASIC芯片,MEMS电容芯片与ASIC芯片电性连接,所述ASIC芯片通过电容检测模块获取MEMS电容芯片的电容值。
8.如权利要求5~6任一项所述的控制方法,其特征在于,所述电容变化阈值为3%。
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