[发明专利]芯片3D形貌制备方法

权利要求书

1.一种芯片3D形貌制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在基底上生长第一介质材料，形成第一介质材料层；

在所述第一介质材料层上生长第二介质材料，形成第二介质材料层，所述第二介质材料层包括至少两个第二介质材料层单元；不同第二介质材料层单元具有设定间隔，形成设定间距的隔断；其中，根据斜坡的角度和高度要求确定所述第二介质材料层中各第二介质材料层单元的间距和高度；按照获取的所述第二介质材料层中各第二介质材料层单元的间距和高度在所述第一介质材料层上生长第二介质材料，从而得到符合要求的各第二介质材料层单元；

利用高密度等离子体边沉积边刻蚀的工艺特征形成具有设定坡度及高度的高密度等离子体层；应用高密度等离子体可以边沉积边刻蚀的工艺特征，获取所需坡度及各第二介质材料层单元的高度，制造3D形貌来满足高性能传感器的要求；所述斜坡的坡度为30°～60°；

在所述高密度等离子体层上生长氧化硅，形成氧化硅层。

2.根据权利要求1所述的芯片3D形貌制备方法，其特征在于：

所述第一介质材料为氧化物或氮化物。

3.根据权利要求1所述的芯片3D形貌制备方法，其特征在于：

所述第二介质材料为金属材料，所述第二介质材料层为金属层。

4.根据权利要求3所述的芯片3D形貌制备方法，其特征在于：

所述第二介质材料为纯铝或铝铜合金或铜材料。

5.根据权利要求1所述的芯片3D形貌制备方法，其特征在于：

所述斜坡的坡度为45°。

6.根据权利要求1所述的芯片3D形貌制备方法，其特征在于：

所述高密度等离子体层为高密度等离子体薄膜。

7.根据权利要求1所述的芯片3D形貌制备方法，其特征在于：

所述基底为硅片或包括CMOS晶体管的半导体衬底，所述CMOS晶体管至少包括顶部金属层。