[发明专利]包括容纳包封物嵌埋的半导体裸片的罐的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置(10)，包括：

导电罐(11)，其包括平坦部分(11A)和从平坦部分(11A)的边缘延伸的至少一个外围边沿部分(11B)；

半导体裸片(12)，其包括第一主面、与第一主面相反的第二主面、设置在第一主面上的第一接触焊盘(12A)和设置在第二主面上的第二接触焊盘(12B)，其中，第一接触焊盘(12A)电连接到罐(11)的平坦部分(11A)；

电互连器(13)，其与第二接触焊盘(12A)连接；和

包封物(14)，其设置在半导体裸片(12)之下而包围电互连器(13)，

其中，电互连器(13)的外表面从包封物(14)的外表面凹入。

2.根据权利要求1所述的半导体装置(10)，其中

包封物(14)被设置成填充半导体裸片(12)与罐(11)的平坦部分(11A)和边沿(11B)之间的空间。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置(10)，其中

罐(11)的顶表面被包封物(14)暴露或未被包封物(14)覆盖。

4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置(10)，其中

电互连器(13)的高度在包封物(14)的高度的40％至80％的范围内，其中，所述高度是从半导体裸片(12)的第二主面测量的。

5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置(10)，其中

包封物(14)包括有机环氧化合物、环氧树脂和联苯环氧树脂中的一种或多种。

6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置(10)，其中

包封物(14)包括填充材料、特别是SiO的颗粒。

7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置(10)，其中

电互连器(13)包括基于焊料的合金、Sn/Ag/Cu的合金和铜柱中的一种或多种。

8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置(10)，其中

在电互连器(13)的外表面上没有设置焊料。

9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置(10)，其中

半导体裸片(12)包括具有端子的功率半导体裸片，其中，边沿部分(11B)与一个端子连接，一个或多个电互连器(13)与其它端子连接。

10.一种半导体装置(20)，包括：

导电罐(21)，其包括平坦部分(21A)和从平坦部分(21A)的边缘延伸的至少一个外围边沿部分(21B)；

半导体裸片(22)，其包括第一主面、与第一主面相反的第二主面、设置在第一主面上的第一接触焊盘(22A)和设置在第二主面上的第二接触焊盘(22B)，其中，第一接触焊盘(22A)电连接到罐(21)的平坦部分(21A)；

电互连器(23)，其与第二接触焊盘(22B)连接；和

包封物(24)，其设置在半导体裸片(22)之下而包围电互连器(23)，

其中，电互连器(23)的外表面从包封物(24)的外表面突出，其中，包封物被配置成包围电互连器的高度的至少40％。

11.根据权利要求10所述的半导体装置(20)，其中

包封物(24)被设置成填充半导体裸片(22)与罐(21)的平坦部分(21A)和边沿部分(21B)之间的空间。

12.根据权利要求10或11所述的半导体装置(20)，其中

罐(21)的顶表面被包封物暴露或未被包封物覆盖。

13.根据权利要求10-12中任一项所述的半导体装置(20)，其中

电互连器(23)的突出部分在电互连器(23)的总高度的20％至40％的范围内。