[发明专利]一种发光器件、显示装置和制作方法在审
申请号: | 202011354418.4 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN114566598A | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 王铁石 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 于本双 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光 器件 显示装置 制作方法 | ||
1.一种发光器件,其特征在于,包括:依次叠层设置的阳极、发光层、和阴极,以及位于所述发光层和所述阴极层之间使得单位时间到达所述发光层的电子数量和空穴数量之间的差值位于预设阈值范围内的电子传输层;
所述电子传输层的材料包括:内核,以及包裹所述内核的壳层,利用所述内核和所述壳层的导电性,调控单位时间内到达所述发光层的电子数量;
当单位时间内到达所述发光层的电子数大于空穴数量,且单位时间到达所述发光层的电子数大于空穴数量之间的差值超出所述预设阈值范围,减小所述内核的粒径和/或增加所述壳层的厚度,以使单位时间内到达所述发光层的电子数量和空穴数量之间的差值位于所述预设阈值范围内;
当单位时间内到达所述发光层的电子数小于空穴数量,且单位时间内到达所述发光层的电子数大于空穴数量之间的差值超出所述预设阈值范围,增加所述内核的粒径和/或减小所述壳层的厚度,以使单位时间内到达所述发光层的电子数量和空穴数量之间的差值位于所述预设阈值范围内。
2.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,至少在所述阴极层与所述壳层之间的间隙还填充有第一填充层,所述第一填充层的材料与所述壳层的材料相同;和/或,至少在所述壳层与所述发光层之间的间隙填充有第二填充层,所述第二填充层的材料与所述壳层的材料相同。
3.如权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述第一填充层的厚度大于或等于所述电子传输层的厚度;或,所述第二填充层的厚度大于或等于所述电子传输层的厚度。
4.如权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述第二填充层的厚度大于或等于所述发光层的厚度。
5.如权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述第一填充层为经过退火工艺处理的膜层,以与所述壳层的晶相相同;和/或,所述第二填充层为经过退火工艺处理的膜层,以与所述壳层的晶相相同。
6.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述壳层的材料为金属氧化物。
7.如权利要求5所述的发光器件,其特征在于,所述金属氧化物中,所述金属处于最高价态。
8.如权利要求5所述的发光器件,其特征在于,所述壳层的材料包括以下之一或组合:
SnO2;
Cu2O;
Fe2O3;
TiO2;
ZrO2;
CoO;
WO3;
In2O3;
Al2O3;
Fe3O4。
9.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述内核的材料包括以下之一或组合:ZnO、ZnMgO、ZnAlO、ZnLiO、ZnAgO。
10.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述壳层的厚度为0.1nm~100nm;所述内核为内核的粒径在0.1nm~100nm之间的纳米粒子。
11.如权利要求1-10任意一项所述的发光器件,其特征在于,所述壳层材料的电子传输速率小于所述内核材料的电子传输速率。
12.如权利要求1-10任意一项所述的发光器件,其特征在于,所述壳层的导带底能级深度大于所述内核的导带底能级深度;所述壳层的价带顶能级深度大于所述内核的价带顶能级深度。
13.如权利要求1-10任意一项所述的发光器件,其特征在于,所述壳层的带隙宽度与壳层的厚度负相关。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择