[发明专利]一种改善硫化钨连续膜均匀性的方法有效
| 申请号： | 202011426047.6 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112458430B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 兰飞飞;张嵩;董增印;王再恩;王健;李佳起;杨丹丹;张颖;李强 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/02;C23C16/54 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 硫化 连续 均匀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善硫化钨连续膜均匀性的方法，其特征在于，利用H2对硫化钨单晶终端的刻蚀作用，在一定气氛与温度下对获得的连续硫化钨薄膜进行表面热退火处理，去除硫化钨薄膜表面二次成核三角形，处理过程按照以下步骤完成：
第一步，将CVD法获得的连续硫化钨薄膜放置在石英舟表面；
第二步，将石英管放入CVD生长系统中；对CVD生长系统进行抽真空处理，当系统内压力为0mbar时，通入Ar气进行吹扫，Ar气流量为500sccm；
第三步，将Ar气流量降至100sccm-150sccm，系统内压力保持在5mbar-10mbar；
第四步，对系统进行升温，将系统温度升至950℃-1000℃，通入5sccm-10sccm的H2，并保温30min-50min；
第五步，热处理过程结束后，降温，取样。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
