[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵基板，具有多个像素区域，其特征在于，具备：

基板；

多个源极总线，其支撑于上述基板的主面，在第1方向上延伸；

下部绝缘层，其覆盖上述多个源极总线；

多个栅极总线，其形成在上述下部绝缘层的上方，在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸；以及

氧化物半导体TFT和像素电极，其与上述多个像素区域中的每一个像素区域对应配置，

在上述多个像素区域中的每一个像素区域中，

上述氧化物半导体TFT具有：

氧化物半导体层，其配置在上述下部绝缘层上，包含沟道区域、以及分别位于上述沟道区域的两侧的第1区域和第2区域，上述第1区域电连接到上述多个源极总线中的对应的1个源极总线，上述第2区域电连接到上述像素电极；以及

栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在上述氧化物半导体层的至少上述沟道区域上，形成在与上述多个栅极总线不同的层，并且与配置在相邻的像素区域的栅极电极分离配置，

上述氧化物半导体层和上述栅极电极由层间绝缘层覆盖，上述层间绝缘层具有使上述栅极电极的一部分露出的至少1个栅极接触孔，

上述多个栅极总线中的1个栅极总线配置在上述层间绝缘层上以及上述至少1个栅极接触孔内，在上述至少1个栅极接触孔内电连接到上述栅极电极。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，

在上述多个像素区域中的每一个像素区域中，上述氧化物半导体TFT还具有将上述氧化物半导体层的上述第2区域与上述像素电极连接的漏极电极，

上述漏极电极与上述多个栅极总线形成在同一层。

3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，

在上述多个像素区域中的每一个像素区域中，上述氧化物半导体TFT的上述栅极电极在从上述基板的上述主面的法线方向观看时，包含与上述氧化物半导体层重叠的第1部分、以及从上述第1部分以与上述氧化物半导体层不重叠的方式延伸的延伸设置部，

上述至少1个栅极接触孔配置为使上述栅极电极的上述延伸设置部的一部分露出。

4.根据权利要求3所述的有源矩阵基板，

在从上述基板的上述主面的法线方向观看时，上述多个像素区域中的每一个像素区域具有与上述多个源极总线形成于同一层的电极和配线都不存在的源极金属不存在区域，

在从上述基板的上述主面的法线方向观看时，上述至少1个栅极接触孔位于上述源极金属不存在区域的内部。

5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，

在上述多个像素区域中的每一个像素区域中，上述至少1个栅极接触孔在从上述基板的上述主面的法线方向观看时，以横跨上述栅极电极的缘部的方式配置。

6.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，

在上述多个像素区域中的每一个像素区域中，上述至少1个栅极接触孔在从上述基板的上述主面的法线方向观看时，与上述氧化物半导体层的上述沟道区域至少部分地重叠。

7.根据权利要求3至5中的任意一项所述的有源矩阵基板，

在上述多个像素区域中的每一个像素区域中，上述至少1个栅极接触孔包含空开间隔配置的多个栅极接触孔。

8.根据权利要求7所述的有源矩阵基板，

在上述多个像素区域中的每一个像素区域中，在从上述基板的上述主面的法线方向观看时，

上述栅极电极的上述延伸设置部包含分别配置在上述第1部分的两侧的第1延伸设置部和第2延伸设置部，

上述多个栅极接触孔包含配置为与上述第1延伸设置部重叠的第1栅极接触孔、以及配置为与上述第2延伸设置部重叠的第2栅极接触孔。