[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法

说明书

提供具备顶栅型的氧化物半导体TFT并且能抑制由ESD导致的源极‑栅极间的漏电的有源矩阵基板。有源矩阵基板具备多个源极总线、覆盖源极总线的下部绝缘层、形成在下部绝缘层的上方的多个栅极总线、以及与各像素区域对应配置的氧化物半导体TFT，氧化物半导体TFT具有：氧化物半导体层，其配置在下部绝缘层上；以及栅极电极，其配置在氧化物半导体层的上方，形成在与栅极总线不同的层，并且与配置在相邻的像素区域的栅极电极分离配置，栅极电极由层间绝缘层覆盖，栅极总线配置在层间绝缘层上、以及形成于层间绝缘层的栅极接触孔内，在栅极接触孔内连接到栅极电极。

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板及其制造方法。

背景技术

具备按每个像素设置有开关元件的有源矩阵基板的显示装置已 得到广泛应用。具备薄膜晶体管(Thin Film Transistor：以下称为 “TFT”)作为开关元件的有源矩阵基板被称为TFT基板。此外，在 本说明书中，将与显示装置的像素对应的TFT基板的部分称为像素区 域或像素。另外，将在有源矩阵基板的各像素中作为开关元件设置 的TFT称为“像素TFT”。在TFT基板中设置有多个源极总线和多个栅 极总线，在它们的交叉部附近配置有像素TFT。像素TFT的源极电极 连接到源极总线中的1个源极总线，栅极电极连接到栅极总线中的1 个栅极总线。

近年来，已提出使用氧化物半导体来代替非晶硅、多晶硅作为 TFT的活性层的材料。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物 半导体具有比非晶硅的迁移率高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT 能比非晶硅TFT高速地动作。另外，氧化物半导体膜通过比多晶硅膜 简单的工艺形成，因此也能够应用于需要大面积的装置。

虽然多数氧化物半导体TFT为底栅型TFT，但也已提出了顶栅型 的氧化物半导体TFT。

专利文献1公开了一种顶栅型TFT，其中在氧化物半导体层的一 部分上隔着栅极绝缘层配置有栅极电极，在覆盖栅极电极的绝缘层 上配置有源极和漏极电极。

另一方面，本申请人的专利文献2提出了在比栅极总线靠基板侧 设置源极电极和源极总线的基板结构(以下，称为“下部源极配线 结构”)。在该结构中，源极总线配置在比氧化物半导体TFT的氧化物 半导体层靠基板侧，栅极总线配置在氧化物半导体层的上方。根据 具有下部源极配线结构TFT的基板(以下，简称为“下部源极配线基 板”。)，能够加厚位于源极总线与栅极总线之间的绝缘层，因此，能 降低在这些总线的交叉部产生的寄生电容。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2015-109315号公报

专利文献2：国际公开第2015/186619号

发明内容

发明要解决的问题

在将顶栅型的氧化物半导体TFT用作像素TFT的TFT基板(例如 下部源极配线基板)中，各栅极总线例如隔着栅极绝缘层配置在对 应的氧化物半导体TFT的氧化物半导体层的上方，以横跨多个像素 TFT的氧化物半导体层的缘部(边缘部)的方式延伸。

经本申请的发明人研究，根据上述构成，在TFT阵列的制造工 艺中，由于蓄积于栅极总线的电荷，在位于其下方的氧化物半导体 层的边缘部可能会发生ESD(Electro-Static Discharge；静电放电)。 这可能成为源极-栅极间产生漏电的因素。后面将参照图16A～图16C 详细描述。

本发明的一个实施方式提供具备顶栅型的氧化物半导体TFT并 且能抑制由于ESD导致的源极-栅极间的漏电的有源矩阵基板。

用于解决问题的方案