[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其中，

该等离子体处理装置具有：

腔室，其包括具有中央开口部的顶板，该腔室限定等离子体处理空间；

天线组件，其配置于所述顶板的上方，所述天线组件具有中央区域、包围所述中央区域的第1周围区域、包围所述第1周围区域的第2周围区域，所述中央区域和第1周围区域在纵向上与所述中央开口部重叠；

初级线圈，其配置于所述第2周围区域；

RF电源，其构成为向所述初级线圈供给RF信号；以及

气体喷头，其配置于所述中央开口部，具有暴露于所述等离子体处理空间内的底部，所述底部具有多个底部气体导入孔。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

该等离子体处理装置还具有次级线圈，该次级线圈配置于所述第1周围区域，所述次级线圈构成为与所述初级线圈电感耦合。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，

所述次级线圈具有具备两个端部的线路和与所述两个端部连接的电容器。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述气体喷头具有侧部，所述侧部的至少局部暴露于所述等离子体处理空间内，并具有多个侧部气体导入孔。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其中，

该等离子体处理装置还具有气体分配控制部，

所述气体喷头具有多个扩散室，

所述气体分配控制部构成为控制针对所述多个扩散室的气体供给比率，

所述多个底部气体导入孔和所述多个侧部气体导入孔分别与所述多个扩散室中的任一扩散室流体连通。

6.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其中，

该等离子体处理装置还具有气体分配控制部，

所述气体喷头具有配置于所述气体喷头的中央的第1扩散室、包围所述第1扩散室的第2扩散室、包围所述第2扩散室的第3扩散室、包围所述第3扩散室的第4扩散室，

所述气体分配控制部构成为控制针对所述第1扩散室、所述第2扩散室、所述第3扩散室以及所述第4扩散室的气体供给比率，

所述多个底部气体导入孔分别与所述第1扩散室、所述第2扩散室以及所述第3扩散室中的任一扩散室流体连通，

所述多个侧部气体导入孔与所述第4扩散室流体连通。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，

与所述第3扩散室流体连通的至少一个底部气体导入孔沿倾斜方向形成。

8.根据权利要求4～7中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述底部气体导入孔和所述侧部气体导入孔具有0.05mm～1.5mm的孔径。

9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其中，

所述底部气体导入孔具有与所述侧部气体导入孔相同的孔径。

10.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其中，

所述底部气体导入孔具有与所述侧部气体导入孔不同的孔径。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述气体喷头具有横向尺寸和纵向尺寸，所述横向尺寸大于所述纵向尺寸。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述初级线圈包括具有两个开放端的线路，所述线路具有与所述RF电源连接的第1接点和接地的第2接点。