[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够使基板上的气体分布的控制性提高。等离子体处理装置具有腔室、天线组件、初级线圈、RF电源、气体喷头。腔室包括具有中央开口部的顶板，该腔室限定等离子体处理空间。天线组件配置于顶板的上方，天线组件具有中央区域、包围中央区域的第1周围区域、包围第1周围区域的第2周围区域，中央区域和第1周围区域在纵向上与中央开口部重叠。初级线圈配置于第2周围区域。RF电源构成为向初级线圈供给RF信号。气体喷头配置于中央开口部，具有暴露于等离子体处理空间内的底部，底部具有多个底部气体导入孔。

技术领域

本公开涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

作为等离子体处理装置，公知有ICP(Inductively Coupled Plasma：电感耦合等离子体)方式的等离子体处理装置。在ICP方式的等离子体处理装置中，例如具有使用供给高频电力的螺旋状的外侧天线和与外侧天线呈同心状电感耦合的螺旋状的内侧天线来使处理容器内产生感应电场而激励处理气体的方法。

专利文献1：日本特开2019－067503号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够使基板上的气体分布的控制性提高的等离子体处理装置。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案的等离子体处理装置具有腔室、天线组件、初级线圈、RF电源、气体喷头。腔室包括具有中央开口部的顶板，该腔室限定等离子体处理空间。天线组件配置于顶板的上方，天线组件具有中央区域、包围中央区域的第1周围区域、包围第1周围区域的第2周围区域，中央区域和第1周围区域在纵向上与中央开口部重叠。初级线圈配置于第2周围区域。RF电源构成为向初级线圈供给RF信号。气体喷头配置于中央开口部，具有暴露于等离子体处理空间内的底部，底部具有多个底部气体导入孔。

发明的效果

根据本公开，能够提高基板上的气体分布的控制性。

附图说明

图1是表示本公开的第1实施方式的等离子体处理系统的一个例子的图。

图2是表示第1实施方式的天线的一个例子的概略立体图。

图3是表示第1实施方式的内侧线圈和外侧线圈的配置的一个例子的图。

图4是表示第1实施方式的气体喷头的一个例子的图。

图5是表示比较例1的模拟结果的一个例子的图。

图6是表示比较例1的模拟结果的一个例子的图。

图7是表示第1实施方式的模拟结果的一个例子的图。

图8是表示第1实施方式的模拟结果的一个例子的图。

图9是表示本公开的第2实施方式的等离子体处理系统的一个例子的图。

图10是表示比较例2的喷嘴的结构的一个例子的图。

图11是表示第2实施方式的变形例1的气体喷头的结构的一个例子的图。

图12是表示比较例2的模拟结果的一个例子的图。

图13是表示第2实施方式的变形例1的模拟结果的一个例子的图。

图14是表示比较例2的模拟结果的一个例子的图。

图15是表示比较例2的模拟结果的一个例子的图。

图16是表示比较例2的模拟结果的一个例子的图。