[发明专利]制造显示设备的方法在审
| 申请号： | 202011496485.X | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN113078187A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 成始珍;金孝珉;朴一秀;兪智娜;韩宗锡 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张逍遥;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 显示 设备 方法 | ||
1.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
在基底上形成像素电极；
形成像素限定层，所述像素限定层至少覆盖所述像素电极的边缘，并且包括使所述像素电极的一部分暴露的开口；
通过将氧气添加到所述像素电极的被所述像素限定层中的所述开口暴露的表面来执行第一干法清洗，其中，以在1200sccm至3600sccm的范围内的流速添加所述氧气；
在所述第一干法清洗之后执行第二干法清洗；
在所述第二干法清洗之后在所述像素电极上形成中间层；以及
在所述中间层和所述像素限定层上形成对电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一干法清洗包括从所述像素电极的所述表面去除有机残留物。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述有机残留物包括与所述像素限定层的材料相同的材料。
4.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
在所述基底上形成平坦化层；
形成穿过所述平坦化层的接触孔；以及
对所述平坦化层和所述接触孔执行第三干法清洗。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一干法清洗的执行与所述第三干法清洗的执行相同。
6.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
在所述第一干法清洗与所述第二干法清洗之间执行清洗工艺；以及
执行烘箱工艺。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧气在所述第一干法清洗期间的流速比所述氧气在所述第二干法清洗期间的流速大。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，通过以20sccm或更低的流速添加所述氧气来执行所述第二干法清洗。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，通过以在200sccm至600sccm的范围内的流速添加氮气来执行所述第二干法清洗。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一干法清洗和所述第二干法清洗期间施加源电力，并且
其中，在所述第一干法清洗期间施加的所述源电力在500W至1500W的范围内，并且
在所述第二干法清洗期间施加的所述源电力在300W至800W的范围内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
