[发明专利]显示面板及制作方法、显示设备

权利要求书

1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

在基底具备亲水性的一侧制备具备疏水性的第一膜层，所述第一膜层具有多个阵列排布且贯穿所述第一膜层的凹槽；所述第一膜层与所述基底的亲水性一侧通过共价键连接；

将包含巯基硅烷和/或氨基硅烷的溶质，与包含醇类且具备碱性的溶剂混合后，制备形成第一浓度的亲水性膜层溶液；

所述亲水性膜层溶液在第一转速下被涂覆至各所述凹槽中露出的所述基底的一侧，形成所述亲水性膜层；

将涂覆有所述亲水性膜层的基底置于第一温度的环境中，并经过设计时间后，所述亲水性膜层形成具备设计亲水性的第二无机硅烷层；第二膜层为所述第二无机硅烷层；所述亲水性膜层的材料包括巯基硅烷和氨基硅烷中的至少一种；

在所述凹槽中的所述第二膜层远离所述基底一侧，制备钙钛矿晶体结构，所述钙钛矿晶体结构的尺寸与所述设计亲水性相匹配。

2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述设计时间的范围为0.25-2小时；

所述第一转速的范围为1000-4000转每分钟。

3.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在基底具备亲水性的一侧制备具备疏水性的第一膜层，所述第一膜层具有多个阵列排布且贯穿所述第一膜层的凹槽，包括：

在所述基底具备亲水性的一侧涂覆疏水性膜层，所述疏水性膜层的材料包括具备疏水性的硅氧烷；

在所述疏水性膜层的一侧涂覆负性光刻胶，并图案化所述负性光刻胶；

以图案化的负性光刻胶为掩膜，对所述疏水性膜层进行干刻，形成第一无机硅烷层，所述第一膜层为第一无机硅烷层，所述第一无机硅烷层具有多个阵列排布的所述凹槽；所述第一无机硅烷层与所述基底的亲水性一侧通过共价键连接；

将具有所述第一无机硅烷层的基板置于碱性溶液中进行湿刻，直至所述第一无机硅烷层的各凹槽中露出所述基板的具备亲水性的一侧。

4.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在基底具备亲水性的一侧制备具备疏水性的第一膜层，所述第一膜层具有多个阵列排布且贯穿所述第一膜层的凹槽，包括：

在所述基底具备亲水性的一侧涂覆疏水性膜层，所述疏水性膜层的材料包括具备疏水性的硅氧烷；

在所述疏水性膜层的一侧涂覆正性光刻胶，并图案化所述正性光刻胶；

以图案化的正性光刻胶为掩膜，对所述疏水性膜层进行干刻，形成第一无机硅烷层，所述第一膜层为第一无机硅烷层，所述第一无机硅烷层具有多个阵列排布的所述凹槽；且，所述第一无机硅烷层与所述基底的亲水性一侧通过共价键连接；

将具有所述第一无机硅烷层的基板置于碱性溶液中进行湿刻，直至所述凹槽中露出所述基板的具备亲水性的一侧；

以及，在所述凹槽中露出的所述基底的一侧，制备具备设计亲水性的第二膜层之后，且在所述凹槽中的所述第二膜层远离所述基底一侧，制备钙钛矿晶体结构之前，还包括：

将具有所述第一无机硅烷层和第二无机硅烷层的基板进行全面曝光，使得所述正性光刻胶变性，对变性后的所述正性光刻胶进行显影剥离；所述第二膜层为所述第二无机硅烷层。

5.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述凹槽中的所述第二膜层远离所述基底一侧，制备钙钛矿晶体结构，所述钙钛矿晶体结构的尺寸形态与所述设计亲水性相匹配，包括：

在所述凹槽中的第二无机硅烷层的一侧制备第一前驱体结构；所述第二膜层为所述第二无机硅烷层；

将具有所述第一前驱体结构的基底置于气态的第二前驱体的环境中，使所述气态的第二前驱体与所述第一前驱体结构反应，并在所述第二无机硅烷层的一侧形成所述钙钛矿晶体结构。