[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

堆叠结构，包括第一叠层结构及位于所述第一叠层结构上方的第二叠层结构，所述第一叠层结构包括在垂直方向上堆叠的多个底部选择栅层，相邻所述底部选择栅层之间设有第一隔离层，所述第二叠层结构包括在垂直方向上堆叠的多个栅极层，相邻所述栅极层之间设有第二隔离层；

所述堆叠结构划分为多个存储区块，所述存储区块包括挡墙结构以及与所述挡墙结构相邻设置的下层阶梯结构，所述下层阶梯结构形成在所述第一叠层结构中，所述下层阶梯结构包括沿第一水平方向依次设置的第一阶梯结构、第二阶梯结构、第三阶梯结构及第四阶梯结构；

多个沿所述第一水平方向延伸的栅线缝隙结构，用于将所述存储区块划分为沿第二水平方向排列的多个指状结构，所述第二水平方向垂直于所述第一水平方向，所述栅线缝隙结构贯穿所述堆叠结构，在沿所述第一水平方向上，所述栅线缝隙结构包括位于所述阶梯结构中多个不连续设置的子栅线缝隙；多个所述指状结构包括第一指状结构以及与所述第一指状结构相邻设置的第二指状结构，所述挡墙结构位于所述第一指状结构中；

多个绝缘隔断结构，贯穿所述第一叠层结构，所述绝缘隔断结构连接位于所述第一阶梯结构和所述第四阶梯结构中相邻的所述子栅线缝隙；

多个第一触点结构，分布于所述第一阶梯结构及所述第四阶梯结构的台阶上，并与所述第二指状结构中的所述底部选择栅层连接；

至少一个第二触点结构，分布于所述第二阶梯结构或/及所述第三阶梯结构的台阶上，并与相应台阶中的所述底部选择栅层连接以电连接所述第一指状结构中的所述底部选择栅层。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：在所述第一水平方向上，所述存储区块划分为第一核心区、第一顶部选择栅连接区、第一字线连接区、底部选择栅连接区、第二字线连接区、第二顶部选择栅连接区及第二核心区，所述下层阶梯结构位于所述底部选择栅连接区。

3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于：所述第一阶梯结构、所述第二阶梯结构、所述第三阶梯结构及所述第四阶梯结构均包括多个台阶，不同层台阶分别包括不同层的所述底部选择栅层，在所述第一阶梯结构指向所述第四阶梯结构的方向上，所述第一阶梯结构与所述第三阶梯结构的台阶均依次降低，所述第二阶梯结构与所述第四阶梯结构的台阶均依次升高。

4.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于：多个所述绝缘隔断结构分布于所述第一字线连接区、所述第一阶梯结构所在区域、所述第四阶梯结构所在区域及所述第二字线连接区，并连接于相邻所述子栅线缝隙之间，以将所述第一字线连接区、所述第一阶梯结构所在区域、所述第四阶梯结构所在区域及所述第二字线连接区的相邻指状结构的所述底部选择栅层电隔离，所述第二阶梯结构所在区域及所述第三阶梯结构所在区域的相邻指状结构的所述底部选择栅层在相邻所述子栅线缝隙之间的区域电连接。

5.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于：所述挡墙结构包括多层所述底部选择栅层及多层所述栅极层，所述挡墙结构自所述第一指状结构的所述第一字线连接区延伸至所述第一指状结构的所述第二字线连接区。

6.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述绝缘隔断结构包括底部选择栅切口或虚设沟道孔。

7.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：多个所述指状结构还包括至少一第三指状结构，所述第三指状结构及所述第二指状结构位于所述第一指状结构的同一侧，且所述第三指状结构与所述第一指状结构不相邻。

8.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于：所述三维存储器还包括至少一个第三触点结构，所述第三触点结构分布于所述第一阶梯结构及所述第四阶梯结构的台阶上，并与所述第三指状结构中的所述底部选择栅层连接，所述第二触点结构设置于所述第二指状结构或/及所述第三指状结构中。

9.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述三维存储器还包括连续的主栅线缝隙，将所述堆叠结构划分为多个所述存储区块。