[发明专利]一种半导体硫化氢气体传感器

权利要求书

1.一种半导体硫化氢气体传感器，其特征在于，包括基底和位于基底上的感应电极和参比电极，所述感应电极和参比电极分别包括两个，所述感应电极和参比电极的两端都分别连接焊盘，且两个感应电极和两个参比电极通过焊盘外接导线组成惠斯通电桥；所述感应电极和焊盘暴露在空气中，所述参比电极被绝缘层覆盖，所述感应电极为金属银材质。

2.根据权利要求1所述的一种半导体硫化氢气体传感器，其特征在于，所述基底上还设置加热电极，所述加热电极的两端分别连接焊盘。

3.根据权利要求2所述的一种半导体硫化氢气体传感器，其特征在于，所述加热电极位于感应电极和参比电极的正下方或正上方，上下两层之间通过绝缘层隔开。

4.根据权利要求2所述的一种半导体硫化氢气体传感器，其特征在于，所述加热电极与感应电极和参比电极位于同一层，且加热电极位于参比电极和感应电极之间或位于参比电极和感应电极的其中一侧。

5.根据权利要求1所述的一种半导体硫化氢气体传感器，其特征在于，所述参比电极作为加热电极。

6.根据权利要求2-5任一项所述的一种半导体硫化氢气体传感器，其特征在于，所述感应电极、参比电极、加热电极和焊盘均通过电子蒸镀方式溅射金属银材质制作。

7.根据权利要求6所述的一种半导体硫化氢气体传感器，其特征在于，采用化学电镀方式在感应电极的银基薄膜上继续生长银纳米多孔结构。

8.根据权利要求1所述的一种半导体硫化氢气体传感器，其特征在于，所述绝缘层为多层结构，不同的绝缘层为同种材质或不同材质；所述绝缘层通过LPCVD或者PECVD方式沉积SiO₂或SiN制作。

9.根据权利要求8所述的一种半导体硫化氢气体传感器，其特征在于，所述感应电极和焊盘上方的绝缘层通过刻蚀工艺去除。

10.根据权利要求1所述的一种半导体硫化氢气体传感器，其特征在于，所述基底为硅基底。