[发明专利]一种集成电路行业废水回用零排放工艺及系统

权利要求书

1.一种集成电路行业废水回用零排放工艺，其特征在于：

包括四段膜浓缩工序；

其中，所述四段膜浓缩，对待处理废水进行四次连续的、高低压结合的反渗透处理；

所述低压反渗透处理指低压反渗透膜的压力不高于15kg；

所述低压反渗透处理指高压反渗透膜的压力不低于为30kg。

2.如权利要求1所述的一种集成电路行业废水回用零排放工艺，其特征在于：

所述待处理废水还经预处理工序；

所述预处理工序包括待处理废水依次经有机生物膜一体化处理和/或氧化吸附和/或二级物化沉淀、AO前处理工序；

其中，所述氧化吸附，对待处理废水进行氧化和吸附；

所述二级物化沉淀，对待处理废水进行两次不同处理剂的沉淀；

所述AO前处理，对待处理废水进行进入反渗透系统前的预处理。

3.如权利要求1所述的一种集成电路行业废水回用零排放工艺，其特征在于：

还包括浓液蒸发处理；

其中，所述浓液蒸发处理，对四段膜浓缩后产生的浓液进行浓缩或结晶。

4.一种集成电路行业废水回用零排放系统，其特征在于：

废水依次经有机生物膜一体化反应器和/或氧化吸附设备和/或二级物化沉淀设备、AO前处理设备、四段膜浓缩设备、浓液蒸发设备进行处理；

所述四段膜浓缩设备，包括连续的、依次设置的四段反渗透膜组成；

其中，包含至少一段低压反渗透膜，以及至少一段高压反渗透膜。

5.如权利要求4所述的一种集成电路行业废水回用零排放系统，其特征在于：

所述低压反渗透膜的压力设计为10-15kg，浓水出水比例为30-50％；

所述高压反渗透膜的压力设计为30-50kg，浓水出水比例为40-60％。

6.如权利要求4所述的一种集成电路行业废水回用零排放系统，其特征在于：

所述四段反渗透膜为依次设置的第一低压反渗透膜、第二低压反渗透膜、第一高压反渗透膜、第二高压反渗透膜。

7.如权利要求4所述的一种集成电路行业废水回用零排放系统，其特征在于：

每段所述反渗透膜均设有旁路；

所述旁路使流经的待处理液体，不进入当前反渗透膜，直接进入后一段反渗透膜或设备。

8.如权利要求4所述的一种集成电路行业废水回用零排放系统，其特征在于：

所述氧化吸附设备，进行氧化工序和吸附工序；

所述氧化工序，对流经的待处理液体进行氧化处理，使其小分子化；

所述吸附工序，对流经的待处理液体进行吸附处理，使小分子化的物质被吸附；

所述破络工序，在待处理液体中添加破络剂后，沉淀1-4小时；

所述重金属捕捉工序，在待处理液体中添加重金属捕捉剂后，沉淀1-4小时；

所述浓液蒸发设备，对四段膜浓缩后产生的浓液进行不低于5倍的浓缩或结晶。

9.如权利要求4所述的一种集成电路行业废水回用零排放系统，其特征在于：

还包括二净化设备；

所述二净化设备，采用反渗透膜，对四段膜浓缩后产生的净水进行二次净化。

10.如权利要求4所述的一种集成电路行业废水回用零排放系统，其特征在于：

针对COD指标不大于100mg/L，SS指标不大于50mg/L的待处理废水可省略有机生物膜一体化反应器/氧化吸附设备/二级物化沉淀设备，以及AO前处理设备。