[发明专利]一种纳米材料、发光二极管器件及其制备方法在审
申请号: | 202011588908.0 | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN114695685A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 郭煜林;吴龙佳;张天朔;李俊杰 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y30/00 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 徐凯凯 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 材料 发光二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种纳米材料的制备方法,其特征在于,包括步骤:
提供ZnO纳米颗粒;
在所述ZnO纳米颗粒表面沉积In2O3壳层,制得所述纳米材料。
2.根据权利要求1所述纳米材料的制备方法,其特征在于,所述在所述ZnO纳米颗粒表面沉积In2O3壳层之后还包括步骤:
将Au原子和/或Au微团簇负载在所述In2O3壳层上。
3.根据权利要求2所述纳米材料的制备方法,其特征在于,所述ZnO纳米颗粒的制备包括步骤:
将锌盐溶于有机溶剂中,得到锌盐溶液;
向所述锌盐溶液中加入碱液,制得ZnO纳米颗粒溶液;
对所述ZnO纳米颗粒溶液进行析出、干燥处理,制得ZnO纳米颗粒。
4.根据权利要求3所述纳米材料的制备方法,其特征在于,所述在所述ZnO纳米颗粒表面沉积In2O3壳层的步骤包括:
将铟盐溶于有机溶剂中,得到铟盐溶液;
将所述ZnO纳米颗粒溶于有机醇中,得到ZnO纳米颗粒醇液;
向所述铟盐溶液中加入所述ZnO纳米颗粒醇液,再加入碱液混合,反应得到In2O3壳层包覆的ZnO纳米颗粒溶液;
对所述In2O3壳层包覆的ZnO纳米颗粒溶液进行析出、干燥处理,得到In2O3壳层包覆的ZnO纳米颗粒。
5.根据权利要求4所述纳米材料的制备方法,其特征在于,将Au原子和/或Au微团簇负载在所述In2O3壳层上,制得纳米材料的步骤包括:
将所述In2O3壳层包覆的ZnO纳米颗粒溶于有机醇中,得到In2O3包覆的ZnO纳米颗粒醇液;
将金盐以及所述In2O3壳层包覆的ZnO纳米颗粒醇液加入由油胺与十八烯组成的混合溶液中,在80-50℃下进行混合,在所述In2O3壳层上负载有Au原子和/或Au微团簇,制得纳米材料。
6.根据权利要求5所述纳米材料的制备方法,其特征在于,所述金盐为氯金酸、四氯金酸铵水合物和(三苯基膦)氯化金中的一种或多种;和/或,所述铟盐为硝酸铟、氯化铟和醋酸铟中的一种或多种;和/或,所述锌盐为氯化锌、硝酸锌和醋酸锌中的一种或多种;和/或,所述有机溶剂为DMF和DMSO中的一种或两种;和/或,所述碱液为氢氧化钠、氢氧化钾、四甲基氢氧化铵和氨水中的一种或多种。
7.一种发光二极管的制备方法,其特征在于,包括步骤:
在阴极上制备电子传输层,所述电子传输层材料为纳米材料,所述纳米材料包括ZnO纳米颗粒,以及包覆在所述ZnO纳米颗粒表面的In2O3壳层;
在电子传输层上制备发光层;
在发光层上制备阳极,制得所述发光二极管;
或者,在阳极上制备发光层;
在所述发光层上制备电子传输层,所述电子传输层材料为纳米材料,所述纳米材料包括ZnO纳米颗粒,以及包覆在所述ZnO纳米颗粒表面的In2O3壳层;
在所述电子传输层上制备阴极,制得所述发光二级管。
8.一种纳米材料,其特征在于,包括ZnO纳米颗粒,以及包覆在所述ZnO纳米颗粒表面的In2O3壳层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择