[发明专利]太赫兹波浓度检测套件

权利要求书

1.一种太赫兹波浓度检测套件，其特征在于，包括：太赫兹波浓度传感芯片和与所述太赫兹波浓度传感芯片配套使用的单独的NC浸润膜片；

所述太赫兹波浓度传感芯片包括：基底，其对太赫兹波透明；以及形成于所述基底上的传感结构阵列；其中，传感结构为三圈同心圆环形状的金属薄膜，所述传感结构阵列包括：N×M个传感结构，N≥10，M≥10；

所述NC浸润膜片为硝酸纤维素膜，其能够在浸润溶液样本后覆盖于所述太赫兹波浓度传感芯片上传感结构阵列所在区域的上方。

2.根据权利要求1所述的太赫兹波浓度检测套件，其特征在于，所述基底上传感结构阵列的外围形成有阻挡槽，所述阻挡槽的深度满足：

0≤D-d≤0.5mm；

其中，D为所述阻挡槽的深度，d为所述NC浸润膜片的厚度。

3.根据权利要求2所述的太赫兹波浓度检测套件，其特征在于：

所述阻挡槽围成的形状与所述NC浸润膜片的形状一致；和/或

所述阻挡槽为：在形成所述传感结构阵列后，在基底上通过光刻工艺在传感结构阵列外围制备的聚酰亚胺材料的阻挡槽。

4.根据权利要求1所述的太赫兹波浓度检测套件，其特征在于，所述传感结构阵列中：

N＝M；

传感结构在基底上均匀布置，相邻传感结构在横向和纵向的间距介于5μm～20μm之间；

对于单个传感结构，三圈同心圆环的线宽介于2.5μm～3.5μm之间，环间距介于2.5μm～3.5μm之间，外环外半径小于30μm。

5.根据权利要求4所述的太赫兹波浓度检测套件，其特征在于，所述传感结构阵列中：

相邻传感结构在横、纵向的间距为10μm；

对于单个传感结构，三圈同心圆环的线宽为3μm，环间距为3μm。

6.根据权利要求5所述的太赫兹波浓度检测套件，其特征在于，所述三圈同心圆环中：

外环的外半径R₁和内半径R₂分别为：R₁＝25.5μm，R₂＝22.5μm；

中环的外半径R₃和内半径R₄分别为：R₃＝19.5μm，R₄＝16.5μm；

内环的外半径R₅和内半径R₆分别为：R₅＝13.5μm，R₆＝10.5μm。

7.根据权利要求1所述的太赫兹波浓度检测套件，其特征在于，所述金属薄膜包括：

过渡粘合金属薄膜层，形成于所述基底上；

功能金属薄膜，形成于所述过渡粘合金属薄膜层上。

8.根据权利要求7所述的太赫兹波浓度检测套件，其特征在于：

所述过渡粘合金属薄膜层的材料为铬或钛；和/或

所述功能金属薄膜的材料为金、银或铜。

9.根据权利要求7所述的太赫兹波浓度检测套件，其特征在于：

所述过渡粘合金属薄膜层的厚度介于5nm～100nm之间；和/或

所述功能金属薄膜的厚度介于100nm～300nm之间。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的太赫兹波浓度检测套件，其特征在于，所述基底为硅基底。