[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在审
| 申请号： | 202011643053.7 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113363151A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 山下广树;桥本良知 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 牛蔚然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 记录 介质 | ||
本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。能够在衬底上形成无孔隙且无缝隙的膜。半导体器件的制造方法具有下述工序：于第1温度向衬底供给成膜气体，在衬底上形成至少含有氧及碳且碳浓度为20at％以上的第1膜的工序；和于第1温度以上的第2温度向形成有第1膜的衬底供给含氧及氢气体，使第1膜改性为第2膜的工序。
技术领域
本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。
背景技术
作为半导体器件的制造工序的一工序，存在进行在衬底上形成硅氧碳氮化膜(SiOCN膜)、碳氧化硅膜(SiOC膜)等膜的处理的情况(例如，参见专利文献1、2)。在该情况下，有时在表面形成有沟槽、孔等凹部的衬底上形成上述膜，存在根据凹部处的纵横比，在凹部内形成的上述膜中产生缝隙、孔隙的情况。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-140944号公报
专利文献2：日本特开2013-225657号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的在于，提供能够在衬底上形成无孔隙且无缝隙的膜的技术。
用于解决课题的手段
根据本发明的一方案，提供进行下述工序的技术：
(a)于第1温度向衬底供给成膜气体，在所述衬底上形成至少含有氧及碳且碳浓度为20at％(原子％)以上的第1膜的工序；和
(b)于所述第1温度以上的第2温度向形成有所述第1膜的所述衬底供给含氧及氢气体，使所述第1膜改性为第2膜的工序。
发明效果
根据本发明，能够在衬底上形成无孔隙且无缝隙的膜。
附图说明
图1是本发明的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是将处理炉部分以纵剖视图示出的图。
图2是本发明的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是将处理炉部分以图1的A-A线剖视图示出的图。
图3是本发明的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，是将控制器的控制系统以框图示出的图。
图4是示出本发明的一实施方式中的衬底处理时序的流程图。
图5的(A)是成膜处理前的晶片剖面局部放大图；图5的(B)是以埋入在晶片的表面形成的凹部内的方式进行成膜处理的中途的晶片剖面局部放大图；图5的(C)是以埋入在晶片的表面形成的凹部内的方式进行成膜处理后的晶片剖面局部放大图；图5的(D)是成膜处理后进行改性处理之后的晶片剖面局部放大图。
图6是示出样品1～6中的改性处理前的膜中的碳(C)浓度与改性处理前后的膜的膨胀率的关系的图。
图7是示出在针对C浓度为20at％以上的SiOC(N)膜进行了使用H2O的改性处理后进行退火处理的情况下的退火处理前后的膜厚变化的图。
具体实施方式
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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