[发明专利]光电器件

权利要求书

1.一种光电器件，其特征在于，包括：阳极、在所述阳极上的第一空穴注入层、在所述第一空穴注入层上的空穴传输层、在所述空穴传输层上的量子点发光层和在所述量子点发光层上的阴极，所述空穴传输层中空穴传输材料的价带顶能级与所述第一空穴注入层中第一空穴注入材料的功函差值的绝对值小于等于0.2eV。

2.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述空穴传输层材料的价带顶能级与所述第一空穴注入材料的功函差值的绝对值为0eV。

3.如权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述第一空穴注入材料的功函绝对值为5.3～5.6eV；

和/或，所述空穴传输材料的迁移率高于1×10^-4cm²/Vs。

4.如权利要求3所述的光电器件，其特征在于，所述第一空穴注入材料选自金属氧化物材料；

和/或，所述空穴传输材料选自：含苯胺基团的聚合物、含有芴基团和苯胺基团的共聚物中的至少一种。

5.如权利要求4所述的光电器件，其特征在于，所述金属氧化物材料包括：氧化钨、氧化钼、氧化钒、氧化镍、氧化铜中的至少一种；

和/或，所述金属氧化物材料的粒径为2～10nm。

6.如权利要求4或5所述的光电器件，其特征在于，所述含苯胺基团的聚合物包括：poly-TPD、TFB、P9、P11、P13中的至少一种；

和/或，所述含有芴基团和苯胺基团的共聚物包括：TFB、P13、P15中的至少一种。

7.如权利要求6所述的光电器件，其特征在于，所述第一空穴注入层的厚度为10～150nm；

和/或，所述空穴传输层的厚度为10～150nm。

8.如权利要求1、2、4、5或7任一所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括量子点发光层和电子传输层。

9.如权利要求8所述的光电器件，其特征在于，所述量子点发光层中包括：元素周期表II-IV族、II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、IV-VI族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族半导体化合物中的至少一种量子点材料；

和/或，所述量子点发光层中包括：元素周期表II-IV族、II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、IV-VI族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族半导体化合物中的至少两种组成的核壳结构量子点材料；

和/或，所述量子点发光层中包括核壳结构的量子点材料，所述量子点材料的外壳层材料与所述空穴传输材料的价带顶能级差大于等于0.5eV；

和/或，所述电子传输层中电子传输材料选自：金属氧族化合物传输材料、有机传输材料中的至少一种。

10.如权利要求9所述的光电器件，其特征在于，所述金属氧族化合物传输材料选自：氧化锌、氧化钛、硫化锌、硫化镉中的至少一种；

和/或，所述金属氧族化合物传输材料选自：掺杂有金属元素的氧化锌、氧化钛、硫化锌、硫化镉中的至少一种，其中，所述金属元素包括铝、镁、锂、镧、钇、锰、镓、铁、铬、钴中至少一种；

和/或，所述金属氧族化合物传输材料的粒径小于等于10nm；

和/或，所述有机传输材料选自：8-羟基喹啉-锂、八羟基喹啉铝、富勒烯衍生物、3,5-双(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一种。